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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SR2030PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr2030pthc0g -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR2030 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
ES2DFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es2dfsh 0.1491
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES2DFSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
HS3KBH Taiwan Semiconductor Corporation HS3KBH 0.1509
RFQ
 ECAD 1285 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS3KBHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
HSJLWH Taiwan Semiconductor Corporation Hsjlwh 0.0906
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HSJLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 800 Ma 75 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 5PF @ 4V, 1MHz
SS36 R7G Taiwan Semiconductor Corporation SS36 R7G -
RFQ
 ECAD 5960 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS36 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
HERA802G Taiwan Semiconductor Corporation Hera802g -
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HERA802G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 8 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 65pf @ 4V, 1 MHz
SS110L RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra SS110L 0.2100
RFQ
 ECAD 2696 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS110 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
ES1FLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Es1flhrug -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1F Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
BZD27C15PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c15phr3g 0.2933
RFQ
 ECAD 5569 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 14.7 V 10 ohmios
BZD17C15P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C15P RFG -
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 15 V 10 ohmios
MTZJ15SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ15SB R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 5383 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ15 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 11 V 14.26 V 40 ohmios
1M150ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1m150zh 0.1188
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m150 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 114 V 150 V 1000 ohmios
S3MB Taiwan Semiconductor Corporation S3MB 0.1105
RFQ
 ECAD 7600 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3M Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C11 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C11 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
RS3K R7 Taiwan Semiconductor Corporation RS3K R7 -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-RS3KR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S2DALH Taiwan Semiconductor Corporation S2dalh 0.0683
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S2DALHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 2 a 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12PF @ 4V, 1MHz
1N5259B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5259B A0G -
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5259 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
BZX55C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C12 0.0287
RFQ
 ECAD 2340 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C12TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
1N4737G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4737G R0G 0.0633
RFQ
 ECAD 8018 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4737 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
BZD27C43P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c43p mtg -
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
SF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1004GH 0.5732
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF1004 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SF1004GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
DBL152G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL152G C1G -
RFQ
 ECAD 5770 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) DBL152 Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 100 V 1.5 A Fase única 100 V
1SMA5946 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5946 R3G -
RFQ
 ECAD 9438 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5946 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 56 V 75 V 140 ohmios
S10MCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10MCHR7G -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
SS54ALH Taiwan Semiconductor Corporation Ss54alh 0.1596
RFQ
 ECAD 7729 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads SS54 Schottky SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS54AlHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 650 MV @ 5 A 200 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 256pf @ 4V, 1 MHz
RS2MAF-T Taiwan Semiconductor Corporation RS2MAF-T 0.1124
RFQ
 ECAD 6712 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMAF descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2MAF-TTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
S5A V7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A V7G 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5A Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX85C5V1 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C5V1 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 1.5 V 5.1 V 10 ohmios
BZX584B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B3V3 0.0790
RFQ
 ECAD 7870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B3V3TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
S5M R6 Taiwan Semiconductor Corporation S5M R6 -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S5MR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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