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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SR1060 Taiwan Semiconductor Corporation SR1060 0.4632
RFQ
 ECAD 2465 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR1060 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZX84C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C8V2 0.0511
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX84C8V2TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
BZT52C2V7-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7-G 0.0445
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C2V7-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
HER1608G Taiwan Semiconductor Corporation HER1608G 0.6177
RFQ
 ECAD 5480 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 HER1608 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 16A 1.7 V @ 8 A 80 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
SSL32 M6 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 M6 -
RFQ
 ECAD 7109 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SSL32M6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 410 MV @ 3 A 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SK52C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C R7G -
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk52 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
RS2DFL Taiwan Semiconductor Corporation Rs2dfl 0.0888
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2DFLTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 16PF @ 4V, 1MHz
BZD17C13P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P RFG -
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
TS8P02G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P02G D2G -
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P02 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 100 V 8 A Fase única 100 V
BAV19W Taiwan Semiconductor Corporation BAV19W 0.0474
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F BAV19 Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAV19WTR EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
BZV55B5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B5V6 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 1 V 5.6 V 25 ohmios
MTZJ2V0SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 7924 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj2 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 500 MV 1.99 V 100 ohmios
BZD17C220PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c220ph 0.5588
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C220PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 160 V 220 V 900 ohmios
S5B Taiwan Semiconductor Corporation S5B 0.2997
RFQ
 ECAD 8498 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S5BTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
BZT52B11S Taiwan Semiconductor Corporation Bzt52b11s 0.0343
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52b11str EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 90 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
TSZL52C7V5 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C7V5 RWG -
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSZL52 200 MW 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
1SMB5955HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1smb5955hr5g -
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5955 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 136.8 V 180 V 900 ohmios
BZT52C4V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V3-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BZY55C12 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c12 ryg 0.0350
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
1SMA4762HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4762HR3G -
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4762 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 62.2 V 82 V 200 ohmios
MUR440SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440SHM6G -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Mur440 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
S3J M6G Taiwan Semiconductor Corporation S3j m6g -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
TSD30H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD30H120CW 1.3992
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TSD30 To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800
BZS55B2V7 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V7 RXG -
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 2.7 V 85 ohmios
MBRF760 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF760 -
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBRF760 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 7.5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
BZT52B3V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
SR809 Taiwan Semiconductor Corporation SR809 -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR809TR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 8 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
BZT52B36-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36-G 0.0461
RFQ
 ECAD 7301 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B36-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25.2 V 36 V 90 ohmios
1N4005GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GHR1G -
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4005 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
HT12G A1G Taiwan Semiconductor Corporation Ht12g a1g -
RFQ
 ECAD 4504 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial HT12 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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