SIC
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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
HERAF1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf1601g c0g -
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Heraf1601 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 150pf @ 4V, 1 MHz
1SMB5956HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5956HR5G -
RFQ
 ECAD 1823 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 152 V 200 V 1200 ohmios
SF2005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2005GHC0G -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF2005 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZV55B9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B9V1 0.0357
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55B9V1TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 6.8 V 9.1 V 10 ohmios
SS115LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHMQG -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS115 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SRF10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Srf10100hc0g -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Srf10100 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 900 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
AZ23C2V7 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C2V7 RFG 0.0786
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 2.7 V 83 ohmios
MBR20200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200CT-Y 0.5404
RFQ
 ECAD 7539 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20200 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR20200CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 700 MV @ 20 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS39 M6G Taiwan Semiconductor Corporation Ss39 m6g -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS39 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1JR2 Taiwan Semiconductor Corporation S1JR2 -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1J Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
SF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1008GH 0.6140
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF1008 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SF1008GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 10A 1.7 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B75 0.0357
RFQ
 ECAD 4571 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55B75TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 56 V 75 V 170 ohmios
BZD17C36P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RTG -
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
SR16100 Taiwan Semiconductor Corporation SR16100 -
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 SR16100 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 16A 900 MV @ 8 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
PUAD10BCH Taiwan Semiconductor Corporation Puad10bch 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 PUAD10 Estándar Thindpak descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 950 MV @ 10 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C47P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P R3G -
RFQ
 ECAD 8905 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 36 V 47 V 45 ohmios
ES1JLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1jlhr3g -
RFQ
 ECAD 3938 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
SFT14G A1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft14g a1g -
RFQ
 ECAD 4152 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial SFT14 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
1N5398G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5398G A0G -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5398 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
RS1GLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1glhrqg -
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
F1T7GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t7gha0g -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t7 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
S12GCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S12gchr7g -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
SRS1040 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1040 0.6690
RFQ
 ECAD 4833 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS1040 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SRS1040TR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 10A 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
SS22LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss22lhrqg -
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZV55C15 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C15 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
S5JB Taiwan Semiconductor Corporation S5JB 0.1328
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S5J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
ESH3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B M6G -
RFQ
 ECAD 5825 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ESH3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 3 A 20 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SFAF1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1001G C0G -
RFQ
 ECAD 4316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1001 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 10 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 170pf @ 4V, 1MHz
SS36L MHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss36l mhg -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS36 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C120P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P R3G -
RFQ
 ECAD 1290 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120.5 V 300 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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