SIC
close

Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZV55C47 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C47 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 3209 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 35 V 47 V 110 ohmios
BZT52C6V8K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V8K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 1991 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 3.5 V 6.8 V 15 ohmios
SK55BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation Sk55bhm4g -
RFQ
 ECAD 9301 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk55 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
1N4937GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4937GH 0.0613
RFQ
 ECAD 4511 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4937 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C13P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c13p mtg -
RFQ
 ECAD 2528 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
1SMA5934HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5934HR3G -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5934 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
MUR320SB R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR320SB R5G 1.0500
RFQ
 ECAD 726 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB MUR320 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 3 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SKLW Taiwan Semiconductor Corporation Sklw 0.0498
RFQ
 ECAD 5481 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-sklwtr EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 V @ 800 Ma 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 7pf @ 4V, 1 MHz
HER1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1001G C0G -
RFQ
 ECAD 9556 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 HER1001 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 10A 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRAD1560DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1560DH 0.9300
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD1560 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 750 MV @ 7.5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4747G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747G R0G 0.0627
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4747 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 15.2 V 20 V 22 ohmios
UG2D B0G Taiwan Semiconductor Corporation UG2D B0G -
RFQ
 ECAD 1466 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial UG2D Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 35pf @ 4V, 1MHz
BZS55C10 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C10 RXG 0.0340
RFQ
 ECAD 1745 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 7.5 V 10 V 15 ohmios
BZD27C220P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c220p mtg -
RFQ
 ECAD 8758 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220.5 V 900 ohmios
1PGSMB5943HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5943HR5G -
RFQ
 ECAD 3360 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5943 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 42.6 V 56 V 86 ohmios
BZT52C43S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43S RRG -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 30.1 V 43 V 150 ohmios
MTZJ10SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj10sc 0.0305
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj10 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ10SCTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 7 V 9.95 V 30 ohmios
TUAU6DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau6dh 0.3108
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau6 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu6dhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 6 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 64pf @ 4V, 1 MHz
ES3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3B V6G -
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
HER1006G Taiwan Semiconductor Corporation HER1006G 0.5559
RFQ
 ECAD 1783 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 HER1006 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 10A 1.7 V @ 5 A 80 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR16150PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR16150PT C0G -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR16150 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 16A 1 v @ 8 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C68-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68-G 0.0424
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C68-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
SK25AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK25AHR3G -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SK25 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SK315AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Sk315ahr3g -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk315 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
RS2J Taiwan Semiconductor Corporation RS2J 0.0946
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB RS2J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
MBR3090CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090CT C0G -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR3090 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 30A 940 MV @ 30 A 200 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBS2HRCG Taiwan Semiconductor Corporation Mbs2hrcg -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Mbs2 Estándar MBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 1 V @ 400 Ma 5 µA @ 200 V 500 mA Fase única 200 V
SR2040 Taiwan Semiconductor Corporation SR2040 0.5920
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR2040 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
BYG21M Taiwan Semiconductor Corporation Byg21m 0.0948
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg21 Avalancha DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.6 V @ 1.5 A 120 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 13PF @ 4V, 1MHz
1N4936G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936G R1G -
RFQ
 ECAD 7777 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4936 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar