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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SF44GH Taiwan Semiconductor Corporation SF44GH 0.2862
RFQ
 ECAD 4338 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF44 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 100pf @ 4V, 1 MHz
SRA2020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2020 C0G -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA2020 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 20 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 20A -
BZD17C100P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c100p mtg -
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
SMLW Taiwan Semiconductor Corporation SMLW 0.0498
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SMLWTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 V @ 800 Ma 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 7pf @ 4V, 1 MHz
2M120Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M120Z A0G -
RFQ
 ECAD 2474 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M120 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 91.2 V 120 V 325 ohmios
SRS2040H Taiwan Semiconductor Corporation SRS2040H 0.7674
RFQ
 ECAD 1538 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS2040 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SRS2040HTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
SK12H45 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SK12H45 A0G -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SK12 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 12 A 120 µA @ 45 V 200 ° C (Max) 12A -
BZD27C9V1PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c9v1phmtg -
RFQ
 ECAD 1399 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 9.05 V 4 ohmios
S3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3D V7G -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
MBR2035PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035PTH -
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Schottky TO-247AD (TO-3P) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBR2035 PTH EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 20A (DC) 840 MV @ 20 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
6A05G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G A0G -
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero 6A05 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
UG2D B0G Taiwan Semiconductor Corporation UG2D B0G -
RFQ
 ECAD 1466 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial UG2D Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
RSFMLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlhrqg -
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFML Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SR105 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR105 R0G -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR105 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZY55B16 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b16 0.0491
RFQ
 ECAD 9243 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzy55b16tr EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
SF45GH Taiwan Semiconductor Corporation SF45GH 0.2862
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF45 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 80pf @ 4V, 1 MHz
2M18Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M18Z B0G -
RFQ
 ECAD 1750 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M18 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 13.7 V 18 V 10 ohmios
SRS1690 MNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs1690 mng -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS1690 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 16A 900 MV @ 8 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B8V2 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2 RHG 0.0416
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 630 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
BZT52C3V6S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V6S RRG -
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 4.5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
BZD27C36P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P RFG -
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
BZY55C24 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c24 ryg 0.0350
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
F1T5G A0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T5G A0G -
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t5 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N4747G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747G R0G 0.0627
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4747 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 15.2 V 20 V 22 ohmios
TSPB15U100S S2G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB15U100S S2G 0.6216
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TSPB15 Schottky SMPC4.0 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 700 MV @ 15 A 250 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
LL4006G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4006G L0 -
RFQ
 ECAD 1056 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Do-213ab, melf LL4006 Estándar Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado LL4006GL0 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C13PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13phmtg -
RFQ
 ECAD 6916 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13.25 V 10 ohmios
BZD27C200PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c200phrfg -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
LL4448 Taiwan Semiconductor Corporation LL4448 0.0263
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Estándar Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ll444448TR EAR99 8541.10.0070 2.500 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
BAS21A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21A RFG 0.0523
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 250 V 200 MMA 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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