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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
TSSA5U60HE3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U60HE3G 0.4035
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie DO-214AC, SMA TSSA5 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 560 MV @ 5 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZD27C160PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160phrvg -
RFQ
 ECAD 9266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
SK33A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK33A R3G -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk33 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS14 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS14 R3G 0.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS14 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 200 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SRT15 A1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt15 a1g -
RFQ
 ECAD 7105 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial Srt15 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD27C6V8P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c6v8p mtg -
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V 3 ohmios
1SMC5352HM6G Taiwan Semiconductor Corporation 1smc5352hm6g -
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 ECAD 9241 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1SMC5352 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 11.5 V 15 V 2.5 ohmios
SR103 Taiwan Semiconductor Corporation SR103 -
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 ECAD 6645 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR103TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD17C39P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P M2G -
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 30 V 39 V 40 ohmios
1N4732G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4732G A0G -
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4732 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 V 8 ohmios
BZX79B22 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B22 A0G -
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 15.4 Ma @ 50 MV 22 V 55 ohmios
MTZJ3V0SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V0SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ3 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 50 µA @ 1 V 2.96 V 120 ohmios
1SMA4753 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4753 0.0935
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4753 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 27.4 V 36 V 50 ohmios
RS1DLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhm2g -
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C30PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c30phrtg -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
1N4751AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4751AHR1G -
RFQ
 ECAD 3301 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4751 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 22.8 V 30 V 40 ohmios
HS1JLWH Taiwan Semiconductor Corporation HS1JLWH 0.0906
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1JLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
BZD17C75P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RTG -
RFQ
 ECAD 2098 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
ES1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhmqg -
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZV55B3V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V6 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 4204 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3.6 V 85 ohmios
UF1K B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1K B0G -
RFQ
 ECAD 8448 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1K Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
S1M-KR2G Taiwan Semiconductor Corporation S1m-kr2g -
RFQ
 ECAD 9153 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1M-K Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
LL4006G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4006G L0 -
RFQ
 ECAD 1056 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Do-213ab, melf LL4006 Estándar Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado LL4006GL0 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SF15G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF15G B0G -
RFQ
 ECAD 6868 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF15 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SK34AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Sk34ahr3g -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk34 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C15PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c15phm2g -
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 14.7 V 10 ohmios
BZD27C6V8PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c6v8phmhg -
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V 3 ohmios
ES1DHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1dhr3g -
RFQ
 ECAD 8263 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
MTZJ5V6SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj5v6sc r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj5 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2.5 V 5.76 V 60 ohmios
HER203G Taiwan Semiconductor Corporation HER203G 0.1758
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 ECAD 8557 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HER203GTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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