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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZD27C13PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13phmtg -
RFQ
 ECAD 6916 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13.25 V 10 ohmios
SS12LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss12lhmtg -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS12 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 1 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SS36LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Ss36lhrfg -
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS36 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C18PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c18pwh 0.5400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 13 V 18 V 15 ohmios
S4K R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4K R7G -
RFQ
 ECAD 6000 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4K Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 4 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5941H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5941H 0.1798
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
1PGSMA150Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA150Z R3G -
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA150 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 114 V 150 V 1000 ohmios
BZT52B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V6 0.0412
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B3V6TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 4.5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
BZT52C43S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43S 0.0357
RFQ
 ECAD 5919 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C43STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 30.1 V 43 V 150 ohmios
BZD27C150PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c150phmtg -
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 110 V 147 V 300 ohmios
BZX55C15 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C15 A0G -
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
UGF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1606GHC0G -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1606 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 16A 1.25 v @ 8 a 25 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
TSF30U45C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U45C 1.5792
RFQ
 ECAD 3528 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF30 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 500 MV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MTZJ4V7SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ4V7SC R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 1942 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj4 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 V 4.81 V 80 ohmios
1N4005GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GHB0G -
RFQ
 ECAD 5916 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4005 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
HS5G V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5G V7G 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
1N5393GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393GH -
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1N5393GHTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C11P RVG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c11p rvg 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
SK54C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK54C M6G -
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk54 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
1N5401G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401G R0G -
RFQ
 ECAD 2548 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5401 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
BZX55C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C18 0.0287
RFQ
 ECAD 2189 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 14 V 18 V 50 ohmios
FR306G Taiwan Semiconductor Corporation FR306G 0.1731
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial FR306 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
SR1620PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1620PT C0G -
RFQ
 ECAD 7962 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SR1620 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 16A 550 MV @ 8 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C
MUR4L40H Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L40H 0.2907
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial MUR4L40 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C180PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c180phmhg -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 130 V 179.5 V 450 ohmios
UG12JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UG12JHC0G -
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 UG12 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 12 A 20 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A -
SSL32 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 0.3167
RFQ
 ECAD 1433 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL32 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZD27C36P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P MQG -
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
BZD27C13PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13phm2g -
RFQ
 ECAD 2722 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13.25 V 10 ohmios
ES2BAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es2bahr3g -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES2B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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