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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SR310 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR310 A0G 0.3500
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR310 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SF28GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF28GHB0G -
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF28 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 20pf @ 4V, 1 MHz
SS34 Taiwan Semiconductor Corporation Ss34 0.1983
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss34 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZD17C43P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P RQG -
RFQ
 ECAD 3954 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
BZX85C16 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C16 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 12 V 16 V 15 ohmios
ESH2CA Taiwan Semiconductor Corporation ESH2CA 0.1650
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ESH2 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 25 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1 MHz
SR003H Taiwan Semiconductor Corporation Sr003h -
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR003HTR EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
MUR360SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur360sh 0.2298
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
ES1CL MQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL MQG -
RFQ
 ECAD 4530 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1C Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
RS2J Taiwan Semiconductor Corporation RS2J 0.0946
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB RS2J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
TSD20H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H200CW 1.2342
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TSD20 To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800
1N5822HB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5822HB0G -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5822 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 525 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
SFAF1001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1001GHC0G -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1001 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 10 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 170pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5937 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5937 R5G -
RFQ
 ECAD 9026 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5937 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
SFAF1605GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1605GHC0G -
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1605 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 16 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 100pf @ 4V, 1 MHz
ES3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES3JB R5G 0.9300
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.45 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
HS5G R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5G R6G -
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS5GR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
1N4740AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740AHR1G -
RFQ
 ECAD 4928 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 9.1 V 10 V 9 ohmios
BZD17C16P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P RHG -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16 V 15 ohmios
BZT52B62-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B62-G 0.0461
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 410 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B62-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 45 na @ 43.4 V 62 V 215 ohmios
RSFBL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBL MTG -
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFBL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
1PGSMB5934HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5934HR5G -
RFQ
 ECAD 4689 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5934 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
MBR20150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20150CTHC0G -
RFQ
 ECAD 5420 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20150 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 1.23 V @ 20 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55B3V0 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V0 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 4 µA @ 1 V 3 V 85 ohmios
SR305HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr305ha0g -
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR305 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX55C18 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C18 A0G -
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 14 V 18 V 50 ohmios
TSUP8M60SH Taiwan Semiconductor Corporation Tsup8m60sh 0.5328
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tsup8 Schottky SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSUP8M60SHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 640 MV @ 8 A 600 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 547pf @ 4V, 1MHz
1N4753G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4753G B0G -
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4753 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 27.4 V 36 V 50 ohmios
MTZJ2V0SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj2v0sb 0.0305
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj2 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ2V0SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 500 MV 2.11 V 100 ohmios
SR105 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR105 R0G -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR105 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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