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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SS29LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss29lhmqg -
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS29 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD27C15PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c15phmtg -
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 14.7 V 10 ohmios
2M19ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2m19zh 0.1667
RFQ
 ECAD 9182 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M19 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 14.4 V 19 V 11 ohmios
SSL13 Taiwan Semiconductor Corporation SSL13 0.1311
RFQ
 ECAD 7601 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SSL13 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 390 MV @ 1 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SRAF1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1090 C0G -
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF1090 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZX585B4V7 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B4V7 RKG -
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2.7 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
2A01G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A01G A0G -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A01 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1 MHz
SR215H Taiwan Semiconductor Corporation SR215H 0.1105
RFQ
 ECAD 7463 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR215 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1T7G Taiwan Semiconductor Corporation 1T7G 0.0585
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial 1T7G Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
MUR8L60 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR8L60 C0G -
RFQ
 ECAD 7537 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 MUR8L60 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 8 A 65 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
1N4759AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4759AH 0.1188
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4759 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
1N4934GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934GHR1G -
RFQ
 ECAD 8859 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4934 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SK32A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A R3G -
RFQ
 ECAD 2053 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk32 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1ALHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1alhmhg -
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1a Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
BZD27C91P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C91P 0.2753
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 68 V 90.5 V 200 ohmios
F1T5G Taiwan Semiconductor Corporation F1t5g 0.0679
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t5 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SS310L RTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss310l rtg -
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS310 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TPUH6D S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPUH6D S1G 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPUH6 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 6 a 45 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
SS35 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SS35 V7G 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS35 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SF26GH Taiwan Semiconductor Corporation SF26GH 0.1234
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF26 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B75 0.0453
RFQ
 ECAD 4128 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B75TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 45 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
SK56C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK56C R7G -
RFQ
 ECAD 2364 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk56 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
LL4005G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4005G L0 -
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Do-213ab, melf LL4005 Estándar Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado LL4005GL0 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1M200ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1m200zha0g -
RFQ
 ECAD 2991 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m200 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 152 V 200 V 1500 ohmios
1N4001G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G B0G -
RFQ
 ECAD 9698 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4001 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RSFALHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rsfalhr3g 0.1932
RFQ
 ECAD 5818 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFAL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
BZD17C62P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P RHG -
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47 V 62 V 80 ohmios
BZS55B20 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B20 RXG -
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 55 ohmios
1N5820HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5820HA0G -
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5820 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 475 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
SRAF850 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF850 C0G -
RFQ
 ECAD 1449 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF850 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 8 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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