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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Bzd27c220phrvg | - | ![]() | 2528 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 160 V | 220.5 V | 900 ohmios | ||||||||||||
RS1ML RFG | - | ![]() | 4790 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rs1m | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 800 Ma | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZT52B27 RHG | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Bzt52b | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||
Ss24l rtg | - | ![]() | 2686 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS24 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||
![]() | SFAF2007GHC0G | - | ![]() | 9554 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SFAF2007 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.7 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Sfs1606g | 0.7671 | ![]() | 6049 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SFS1606 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SF12G R0G | - | ![]() | 1482 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SF12 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
S1jlhmtg | - | ![]() | 5886 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1J | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BAT54SW RVG | - | ![]() | 7622 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200MA (DC) | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||
![]() | UG06C A0G | - | ![]() | 1493 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | UG06 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 600 Ma | 15 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 600mA | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
US1A M2G | - | ![]() | 5405 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1A | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1SS355 | 0.0315 | ![]() | 4643 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 1SS3 | Estándar | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-1SS355TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | 4pf @ 500mv, 1 MHz | |||||||||
![]() | HS1KFL | 0.4100 | ![]() | 1546 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | HS1K | Estándar | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | TSS43L RWG | - | ![]() | 7705 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 1005 (2512 Métrica) | TSS43 | Schottky | 1005 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 15 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBRS2060CT-Y MNG | - | ![]() | 5036 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS2060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 1PGSMB5949H | 0.1798 | ![]() | 3082 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 76 V | 100 V | 250 ohmios | |||||||||||||
Ss24lhrfg | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS24 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||
B0530W RHG | 0.0878 | ![]() | 5016 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | B0530 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 430 MV @ 500 Ma | 130 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 170pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | TSOD1F10HM RVG | - | ![]() | 3962 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | TSOD1 | Estándar | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
Ss13l mtg | - | ![]() | 9457 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS13 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 400 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||
Ss34l rqg | - | ![]() | 2901 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Ss34 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
BZD27C10P RHG | - | ![]() | 3366 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 7 µA @ 7.5 V | 10 V | 4 ohmios | ||||||||||||
![]() | UF1B R0G | - | ![]() | 4176 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF1B | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Sr305ha0g | - | ![]() | 1948 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR305 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 3 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | BZT52C22 RHG | 0.0412 | ![]() | 2533 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||
![]() | BZT55C7V5 | 0.0350 | ![]() | 7917 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | 500 MW | Mmmmel | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZT55C7V5TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | SFF1004G | 1.0800 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SFF1004 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10a (DC) | 975 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
US1K | 0.0757 | ![]() | 8110 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1K | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HER155GH | 0.1215 | ![]() | 1226 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-HER155GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1.5 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Ss1h10lsh | 0.1278 | ![]() | 6614 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | SS1H10 | Schottky | Sod-123he | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SS1H10LSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 1 A | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - |
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