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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SSL33HR7G Taiwan Semiconductor Corporation Ssl33hr7g -
RFQ
 ECAD 5818 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 410 MV @ 3 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
MBRF2045CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2045CT-Y 0.4477
RFQ
 ECAD 1383 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF2045 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF2045CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 850 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR3060PT Taiwan Semiconductor Corporation Sr3060pt -
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SR3060 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 30A 700 MV @ 15 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SK54C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK54C R6G -
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK54CR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SS34L RQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss34l rqg -
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Ss34 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SR102 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR102 R1G -
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR102 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SR16150PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR16150PT C0G -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR16150 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 16A 1 v @ 8 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C13PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13phrtg -
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13.25 V 10 ohmios
TSOD1F1HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F1HM RVG -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F TSOD1 Estándar SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 4PF @ 4V, 1MHz
HERAF1605G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf1605g C0G -
RFQ
 ECAD 9736 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Heraf1605 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 150pf @ 4V, 1 MHz
RS1JLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlhrug -
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 800 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
UF4002HR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4002HR1G -
RFQ
 ECAD 2450 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4002 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
BZT52C16-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
RS2GA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2GA R3G 0.4500
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2g Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
MBRS1050CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1050CTHMNG -
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1050 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 10A 900 MV @ 10 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
ES3A M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3A M6G -
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3A Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
ES3G R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3G R7G -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
SRA20150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA20150HC0G -
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA20150 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.02 v @ 20 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZD27C220PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c220phmqg -
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220.5 V 900 ohmios
MBRS2050CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2050CTHMNG -
RFQ
 ECAD 9990 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2050 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
ESH3C V7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3C V7G -
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ESH3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 20 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
TST30H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW 1.4067
RFQ
 ECAD 9763 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 TST30 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 780 MV @ 15 A 250 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
MBR2045CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045CTH -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2045 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 840 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR304HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr304hb0g -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Sr304 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZT55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C8V2 0.0350
RFQ
 ECAD 1917 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C8V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
1N4764AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764AHB0G -
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4764 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
6A40GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A40GHB0G -
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero R-6, axial 6A40 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 400 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
HS2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2B R5G -
RFQ
 ECAD 4846 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS2B Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
S5KB Taiwan Semiconductor Corporation S5KB 0.1414
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S5K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
SS35H Taiwan Semiconductor Corporation SS35H -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SS35HTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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