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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ss34 | 0.1983 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Ss34 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||
BZD17C43P RQG | - | ![]() | 3954 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45 ohmios | |||||||||
RSFBL R3G | - | ![]() | 9400 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFBL | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||
Rs1jl rqg | - | ![]() | 4884 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1J | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 800 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
1SMA5941 R3G | - | ![]() | 5997 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA5941 | 1.5 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 na @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | ||||||||||
![]() | 2m91zha0g | - | ![]() | 1170 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M91 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 125 ohmios | |||||||||
![]() | Tspb10u45s s1g | - | ![]() | 2006 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Tspb10 | Schottky | SMPC4.0 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 460 MV @ 10 A | 300 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||
![]() | 1N4739G A0G | - | ![]() | 8666 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4739 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||
Ss22lhrvg | - | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS22 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - |
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