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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSZL52C20 RWG | - | ![]() | 3368 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 1005 (2512 Métrica) | TSZL52 | 200 MW | 1005 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 50 ohmios | |||||||||||
![]() | S2J R5G | - | ![]() | 2830 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S2J | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 2 a | 1.5 µs | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MMSZ5227B RHG | 0.0433 | ![]() | 7579 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | MMSZ5227 | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||
Bzd27c20p mtg | - | ![]() | 2035 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | Sras8100 | 0.6279 | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sras8100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 8 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | 1N4751A | 0.1118 | ![]() | 1187 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4751 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | ||||||||||||
Byg23m | 0.0897 | ![]() | 7615 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg23 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1.5 A | 65 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
BZD27C6V8P M2G | - | ![]() | 6464 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5.88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 6.8 V | 3 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAT54SW | 0.0466 | ![]() | 8231 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-bat54swtr | EAR99 | 8541.10.0070 | 6,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200 MMA | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125 ° C | |||||||||
S1bl rtg | - | ![]() | 4063 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1B | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | UG06AHA1G | - | ![]() | 5079 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | UG06 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 600 Ma | 15 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 600mA | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
Bzd27c15p mtg | - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 11 V | 14.7 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1PGSMB5951H | 0.1798 | ![]() | 3720 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 91.2 V | 120 V | 360 ohmios | |||||||||||||
![]() | SFA806G C0G | - | ![]() | 6768 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SFA806 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
Ss25lhmhg | - | ![]() | 2822 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS25 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | FR152G B0G | - | ![]() | 8573 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | FR152 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1PGSMB5942 | 0.1689 | ![]() | 7834 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | |||||||||||||
1SMA5947H | 0.0995 | ![]() | 2794 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA5947 | 1.5 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 na @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||||||
S1al rtg | - | ![]() | 2595 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1a | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZT52C6V2K RKG | 0.0474 | ![]() | 4587 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||
BZD17C24P RQG | - | ![]() | 4879 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.83% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24 V | 15 ohmios | ||||||||||||
Rs1al rqg | - | ![]() | 8894 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1A | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SRF1090 C0G | - | ![]() | 5600 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SRF1090 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 10A | 900 MV @ 5 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 1N5821 | 0.1788 | ![]() | 7613 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5821 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 200pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZT55C6V8 L0G | 0.0350 | ![]() | 6003 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | |||||||||||
![]() | BZV55B39 L1G | - | ![]() | 8851 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 28 V | 39 V | 90 ohmios | |||||||||||
![]() | BZS55C8V2 | 0.0340 | ![]() | 8519 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 1206 (3216 Métrica) | BZS55 | 500 MW | 1206 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZS55C8V2TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 6.2 V | 8.2 V | 7 ohmios | |||||||||||
![]() | BZT55B3V9 L1G | - | ![]() | 2182 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 85 ohmios | |||||||||||
![]() | Sk115bhr5g | - | ![]() | 6242 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SK115 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | UG12J C0G | - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | UG12 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 12 A | 20 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | - |
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