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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR103G R0G | 0.0493 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | FR103 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | AZ23C30 | 0.0786 | ![]() | 9905 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-AZ23C30TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 22.5 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
Ss26lhmhg | - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS26 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||
![]() | S5J R7G | - | ![]() | 1763 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5J | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX55C8V2 | 0.0290 | ![]() | 5145 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX55C8V2TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 6.2 V | 8.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Sf25gha0g | - | ![]() | 2477 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | SF25 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 v @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Sk84chm6g | - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Sk84 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | |||||||||||||
![]() | BZT52B3V0 RHG | 0.0412 | ![]() | 5361 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Bzt52b | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 9 µA @ 1 V | 3 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
![]() | ES2LJ R5G | - | ![]() | 3843 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ES2L | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | S10GC R7G | - | ![]() | 1503 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S10G | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 10 a | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZV55B39 | 0.0504 | ![]() | 7124 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZV55B39TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 28 V | 39 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Bzy55b24 | 0.0486 | ![]() | 3977 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0805 (Métrica de 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-bzy55b24tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
Ss110lhmtg | - | ![]() | 6571 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS110 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 1 A | 50 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | Sr510hb0g | - | ![]() | 2079 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR510 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 5 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||
Rs1mfs mwg | 0.0819 | ![]() | 1419 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Rs1m | Estándar | SOD-128 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | Sf44gha0g | - | ![]() | 1620 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SF44 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 100pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
Rs1al rtg | - | ![]() | 3696 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1A | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
Ss34l rhg | - | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Ss34 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
Sk26a | 0.0821 | ![]() | 9542 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Sk26 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||
![]() | GBU605H | - | ![]() | 1929 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU605 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 6 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||
![]() | Heraf1604g | - | ![]() | 6261 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HERAF1604G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 V @ 16 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 150pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SFF1006GA | 0.5136 | ![]() | 8197 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SFF1006 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 400 V | 10a (DC) | 1.3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
Ss36lhrug | 0.3915 | ![]() | 5666 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS36 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 3 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
Rs1dl mhg | - | ![]() | 2142 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1D | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
Ss16lhrqg | - | ![]() | 7326 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS16 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | MUR420SHM6G | - | ![]() | 5568 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Mur420 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 v @ 4 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | MBRF20100CTH | - | ![]() | 5157 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF20100 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 950 MV @ 20 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
Hsjlwh | 0.0906 | ![]() | 8013 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | Estándar | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-HSJLWHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 800 Ma | 75 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | S5JBH | 0.1415 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S5J | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | S5K R7G | - | ![]() | 2649 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5K | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 v @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 60pf @ 4V, 1MHz |
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