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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
6A60GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A60GHA0G -
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A60 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
MUR460 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460 B0G -
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial Mur460 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
MUR440S R6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S R6G -
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MOR440SR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
RSFBL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBL RTG -
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFBL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
RS1GFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1gfshmwg 0.0934
RFQ
 ECAD 9593 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Rs1g Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
SRA1060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1060HC0G -
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA1060 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 10 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
GBU601 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601 D2G -
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU601 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
SFAS803G MNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfas803g mng -
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFAS803 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 80pf @ 4V, 1 MHz
SF31G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G A0G -
RFQ
 ECAD 4927 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF31 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
SRS20150HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs20150hmng -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS20150 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 550 MV @ 10 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 125 ° C
TPMR10G S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10G S1G 0.6845
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPMR10 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 10 a 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
RS1DL MHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dl mhg -
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
MUR420SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR420SHM6G -
RFQ
 ECAD 5568 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Mur420 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.25 v @ 4 a 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
S5JBH Taiwan Semiconductor Corporation S5JBH 0.1415
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S5J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
MBRF20100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20100CTH -
RFQ
 ECAD 5157 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF20100 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
ES2LJ R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2LJ R5G -
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2L Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1 MHz
BZV55B39 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B39 0.0504
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55B39TR EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 100 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
SS16LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss16lhrqg -
RFQ
 ECAD 7326 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS16 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
HERAF1604G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf1604g -
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HERAF1604G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 150pf @ 4V, 1 MHz
S5K R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5K R7G -
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5K Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
HS3FH Taiwan Semiconductor Corporation HS3FH 0.2152
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS3FHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
MBR2035CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CT C0G -
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2035 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 20A 840 MV @ 20 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
UG06D Taiwan Semiconductor Corporation UG06D 0.0953
RFQ
 ECAD 8639 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial UG06 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 600 Ma 15 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 600mA 9PF @ 4V, 1MHz
BZV55C43 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C43 0.0333
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C43TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 32 V 43 V 90 ohmios
SSB44 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SSB44 R5G 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SSB44 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 4 A 200 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 235pf @ 4V, 1MHz
BZD27C13P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13p mtg -
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13.25 V 10 ohmios
BZD17C220P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P M2G -
RFQ
 ECAD 5016 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220 V 900 ohmios
SS29LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss29lhmhg -
RFQ
 ECAD 5852 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS29 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1PGSMC5350 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5350 V7G -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5350V7GTR EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 9.9 V 13 V 3 ohmios
SR209 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR209 A0G -
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR209 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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