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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYC5-1200PQ | 0.4290 | ![]() | 3754 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc5 | Estándar | TO20AC | descascar | 1 (ilimitado) | 93407203333127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.2 v @ 5 a | 36 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||
![]() | Byc10x-600,127 | 1.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Byc10 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 v @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | |||||
![]() | BYC8X-600P, 127 | 0.8900 | ![]() | 1766 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Byc8 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 8 a | 18 ns | 20 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | BYC10-600CT, 127 | 0.5280 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Byc10 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 10A | 2.9 v @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | WNSC5D10650B6J | - | ![]() | 5688 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | - | 1740-WNSC5D10650B6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 323pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | BYV32EB-200,118 | 1.5700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BYV32 | Estándar | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 20A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
WN3S30100CXQ | 0.8700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | WN3S301 | Schottky | Un 220F | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 770 MV @ 15 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C | ||||||||
![]() | BYC10D-600,127 | 0.4125 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc10 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.5 V @ 10 A | 18 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | |||||
![]() | BYV74W-400,127 | 1.1897 | ![]() | 6692 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | BYV74 | Estándar | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 30A | 1.36 v @ 30 a | 60 ns | 50 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | BYV29B-500,118 | 1.0100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BYV29 | Estándar | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.25 v @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - | |||||
![]() | WNSC04650T6J | 1.0313 | ![]() | 1979 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | 4-vsfn almohadillas | WNSC0 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | 5-DFN (8x8) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | 141pf @ 1v, 1 MHz | ||||||
![]() | BYV32E-200,127 | 1.3500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV32 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 20A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | WNSC5D08650D6J | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | - | 1740-WNSC5D08650D6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 267pf @ 1v, 1 MHz | ||||||
![]() | Byc15-1200pq | 1.3100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYC15 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934072039127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.2 V @ 15 A | 61 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 15A | - | ||||
![]() | WNSC2D021200D6J | 0.3699 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 v @ 2 a | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | 175 ° C | 2a | 95pf @ 1v, 1 MHz | |||||||
![]() | NXPSC08650D6J | 4.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 230 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 8A | 260pf @ 1v, 1 MHz | ||||||
![]() | BYC5-600,127 | 0.8700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc5 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 v @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||
![]() | BYC8DX-600,127 | 0.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Byc8 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.9 v @ 8 a | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | BYV25G-600,127 | 0.4455 | ![]() | 4329 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | BYV25 | Estándar | I2pak (TO-262) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934063968127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 5 A | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||
![]() | BYV34-500,127 | 1.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV34 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 500 V | 20A | 1.35 V @ 20 A | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | Nur460p/l04u | - | ![]() | 4737 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Nur460 | Estándar | Do-201ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067362112 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | - | ||||
NXPSC06650DJ | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | 1 (ilimitado) | 934070007118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 6A | 190pf @ 1v, 1 MHz | ||||||
![]() | BYR29-600,127 | 0.4785 | ![]() | 6230 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYR29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 V @ 8 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | BYC30DW-600PQ | 1.2888 | ![]() | 7925 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Byc30 | Estándar | To-247-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934072031127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.3 V @ 30 A | 33 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 30A | - | ||||
![]() | Ob2052v | - | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | * | Tubo | Obsoleto | Ob2052 | - | 1 (ilimitado) | 934070134005 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 63,243 | |||||||||||||||||
![]() | BYC100W-1200PQ | 4.3904 | ![]() | 2829 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | EEPP ™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | BYC100 | Estándar | To-247-2 | descascar | No Aplicable | 934072041127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 100 A | 90 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 100A | - | |||||
![]() | NXPS20H110C, 127 | - | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-3 | NXPS20 | Schottky | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 110 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 6 µA @ 110 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||
![]() | WNSC2D10650TJ | 2.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-vsfn almohadillas | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | 5-DFN (8x8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C | 10A | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | BYR29-800,127 | 0.4785 | ![]() | 4756 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYR29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.5 V @ 8 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | WNSC2D04650XQ | 1.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220F | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D04650XQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 175 ° C | 4A | 125pf @ 1V, 1 MHz |
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