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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC2D10650BJ | 2.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C | 10A | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | Murs360bj | 0.4600 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Murs3 | Estándar | SMB | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 50 ns | 3 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||
WNSC2D10650WQ | 2.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D10650WQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C | 10A | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | WNSC2D101200D6J | 1.3300 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 481pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | WNSC2D101200W6Q | 1.9150 | ![]() | 6055 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 v @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175 ° C | 10A | 490pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | BYC40W-1200PQ | 1.8808 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | BYC40 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 40 A | 91 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C | 40A | - | |||||||
![]() | WB60FV60Alz | 1.1948 | ![]() | 7510 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WB60 | Estándar | Objeto | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 60 A | 55 ns | 10 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | |||||||
![]() | WN3S30H100CQ | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | WN3S30 | Schottky | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 710 MV @ 15 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C | |||||||
![]() | WNB199V5APTSV | 0.9319 | ![]() | 8774 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WNB199 | Estándar | Objeto | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 60 A | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C | 60A | - | |||||||
![]() | WNSC5D10650D6J | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | - | 1740-WNSC5D10650D6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 323pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | WND35P08XQ | 0.5480 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | WND35 | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.4 V @ 35 A | 50 µA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 35a | - | ||||||||
WNSC6D20650CW6Q | 5.3200 | ![]() | 465 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC6 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 20A | 1.45 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C | |||||||
![]() | WND08P16XQ | 0.3878 | ![]() | 1749 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | WND08 | Estándar | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.2 v @ 8 a | 50 µA @ 1600 V | 150 ° C | 8A | - | ||||||
![]() | BYR5D-1200PJ | 0.2888 | ![]() | 9366 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Byr5d | Estándar | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934072040118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.2 v @ 5 a | 62 ns | 50 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||
![]() | WNSC2D1012006Q | 1.4521 | ![]() | 4911 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 481pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | WNSC2D401200CW6Q | 6.9000 | ![]() | 9359 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 40A | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 2000 V | 175 ° C | ||||||
![]() | BYC15X-600,127 | 0.6600 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | BYC15 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 v @ 15 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 15A | - | |||||
![]() | NXPSC066506Q | 3.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Un 220-2 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | 1 (ilimitado) | 934072072127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 6A | 190pf @ 1v, 1 MHz | |||||
![]() | WNSC5D16650CW6Q | - | ![]() | 7644 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D16650CW6Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 16A | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||
![]() | WNSC5D046506Q | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | - | 1740-WNSC5D046506Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 138pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | MUR320J | 0.1183 | ![]() | 7804 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | MUR320 | Estándar | SMC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 875 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | 175 ° C | 3A | - | |||||||
![]() | WNS20H100CBJ | 0.8500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | WNS20 | Schottky | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 750 MV @ 10 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||
![]() | BYC8B-600PJ | 0.4455 | ![]() | 6695 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Byc8 | Estándar | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.4 v @ 8 a | 18 ns | 20 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | Nur460p/l01u | - | ![]() | 1190 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Nur460 | Estándar | Do-201ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067358112 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | - | ||||
![]() | Byv32e-200pq | 0.5940 | ![]() | 4153 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV32 | Estándar | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 934069527127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 850 MV @ 8 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 175 ° C (Máximo) | |||||
BYT28X-500Q | 0.3767 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | ByT28 | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 500 V | 10A | 1.4 v @ 5 a | 60 ns | 10 µA @ 500 V | 150 ° C | ||||||||
![]() | NUR460P/L02U | - | ![]() | 3178 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Nur460 | Estándar | Do-201ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067359112 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | - | ||||
![]() | WNSC2D151200WQ | 6.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D151200WQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175 ° C | 15A | 700pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | WB100FC120Alz | 2.5754 | ![]() | 3492 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WB100 | Estándar | Objeto | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 100 A | 90 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C | 100A | - | |||||||
![]() | BYC58X-600,127 | 0.8415 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | BYC58 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.2 v @ 8 a | 12.5 ns | 150 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - |
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