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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NXPSC06650D6J | 3.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 6A | 190pf @ 1v, 1 MHz | ||||||
WN3S30H100CXQ | 0.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | WN3S30 | Schottky | Un 220F | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 710 MV @ 15 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C | ||||||||
![]() | BYV32E-100,127 | 0.5610 | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV32 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | NXPLQSC30650WQ | - | ![]() | 3342 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NXPLQSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 934070882127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.95 V @ 15 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 30A | 300pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | NUR460P/L07U | - | ![]() | 2363 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Nur460 | Estándar | Do-201ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.28 v @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | - | 4A | - | |||||
![]() | Nur460p, 133 | - | ![]() | 3388 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Nur460 | Estándar | Do-201ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067058133 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | - | ||||
![]() | WNS30H100CQ | 1.0800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | WNS30 | Schottky | TO20E | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 934072050127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 710 MV @ 15 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | Byv10-600pq | 0.7400 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYV10 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | - | |||||
![]() | BYV40E-150,115 | 0.2970 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BYV40 | Estándar | SC-73 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 1.5a | 1 V @ 1.5 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | BYV34-600,127 | 0.7920 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV34 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 20A | 1.48 V @ 20 A | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
WNSC2D301200CWQ | 7.3439 | ![]() | 8131 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 30A | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175 ° C | |||||||
![]() | Byv30jt-600pq | 2.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | BYV30 | Estándar | Un 3p | descascar | 1 (ilimitado) | 934071201127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 480 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.8 V @ 30 A | 65 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 30A | - | |||||
Byv32ex-300pq | 1.1200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | BYV32 | Estándar | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 10A | 1.25 V @ 10 A | 35 ns | 20 µA @ 300 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||
![]() | BYV29-600,127 | 0.4290 | ![]() | 5902 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYV29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - | |||||
![]() | NXPLQSC30650W6Q | 5.6197 | ![]() | 5212 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NXPLQSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 934072091127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.95 V @ 15 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 30A | 300pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | BYT79X-600PQ | 1.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | ByT79 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 934070143127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.38 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 15A | - | ||||
![]() | BYC10-600,127 | 1.2300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc10 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 v @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | |||||
![]() | Byv32e-200pq | 0.5940 | ![]() | 4153 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV32 | Estándar | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 934069527127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 850 MV @ 8 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 175 ° C (Máximo) | |||||
![]() | Byw29e-200,127 | 0.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYW29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | Byv10ex-600pq | 1.0600 | ![]() | 4309 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | BYV10 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||
BYV25D-600,118 | 0.9300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BYV25 | Estándar | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 5 A | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||
![]() | NXPSC046506Q | 2.6700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Un 220-2 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | 1 (ilimitado) | 934072071127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | 130pf @ 1V, 1 MHz | |||||
BYV42G-200,127 | 0.7590 | ![]() | 1754 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | BYV42 | Estándar | I2pak (TO-262) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 850 MV @ 15 A | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||
BYV25FD-600,118 | 0.8500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BYV25 | Estándar | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||
![]() | BYV29FB-600,118 | 0.4950 | ![]() | 9541 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BYV29 | Estándar | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - | |||||
![]() | WNS20H100CBJ | 0.8500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | WNS20 | Schottky | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 750 MV @ 10 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||
![]() | BYW29E-150,127 | 0.8900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYW29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.05 v @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | BYV430W-600PQ | 2.6000 | ![]() | 528 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | BYV430 | Estándar | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 60A | 2 V @ 30 A | 90 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | |||||
NXPSC10650Q | 5.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 300pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | MUR860J | 0.5300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Mur860 | Estándar | SMC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 8 a | 90 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 8A | - |
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