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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZG03C75-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C75 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX55F33-TAP | - | ![]() | 7303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 24 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||||
![]() | RGP02-12E-E3/73 | 0.5800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||||
![]() | TZMC6V8-M-08 | 0.0324 | ![]() | 2229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc6v8 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-10ETF10StrrPBF | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10etf10 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS10ETF10StrrPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.33 v @ 10 a | 310 ns | 100 µA @ 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||
![]() | BZD27C24P-E3-08 | 0.4100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C24 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | V20KM45-M3/H | 0.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 650 MV @ 20 A | 150 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 165 ° C | 5.2a | 3100pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
BAS581-02V-G3-08 | 0.2800 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BAS581 | Schottky | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 370 MV @ 1 MA | 500 na @ 30 V | 125 ° C | 30mera | 2pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | CSA2J-E3/I | 0.3700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CSA2 | Estándar | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 2 a | 2.1 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.6a | 11PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
AZ23B12-E3-18 | 0.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B12 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 9 V | 12 V | 20 ohmios | |||||||||||||
BZX84B6V8-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84b6v8 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
![]() | TLZ16A-GS18 | 0.0335 | ![]() | 5180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ16 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 na @ 14.1 V | 16 V | 18 ohmios | ||||||||||||
![]() | BYW83-TR | 0.5247 | ![]() | 8198 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | Byw83 | Avalancha | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 v @ 3 a | 7.5 µs | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
DZ23C24-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 4795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios | |||||||||||||
![]() | MBRB16H35-E3/45 | - | ![]() | 2978 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB16 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 660 MV @ 16 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 16A | - | |||||||||||
![]() | UGB12JTHTHTHTHE3/45 | - | ![]() | 7390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | UGB12 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.75 V @ 12 A | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | EGP50G-E3/54 | - | ![]() | 3245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | EGP50 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 5 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 75pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBRF30H45CThe3_A/P | 1.1055 | ![]() | 9955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF30 | Schottky | ITO-220AB | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-MBRF30H45CThe3_A/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 820 MV @ 15 A | 80 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | BYM10-600HE3/97 | - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym10 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BYM10-600HE3_A/I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | TZM5229B-GS18 | 0.0303 | ![]() | 2021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5229 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||
SB5H90-E3/73 | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SB5H90 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 5 A | 200 µA @ 90 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||
![]() | GP15DHE3/54 | - | ![]() | 1848 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | GP15 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 1.5 A | 3.5 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | SS2P2L-E3/85A | - | ![]() | 1132 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS2P2 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 2 A | 200 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||
![]() | BZG05B36-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 7745 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05B36 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 27 V | 36 V | 40 ohmios | ||||||||||||
![]() | S1PKHM3/85A | 0.0754 | ![]() | 7647 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | S1P | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAS16WS-HE3-08 | 0.2300 | ![]() | 4761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAS16 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 6 ns | 1 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 250 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VBT1060C-E3/8W | 0.4493 | ![]() | 7511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT1060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 5A | 700 MV @ 5 A | 700 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | V1fm10-m3/i | 0.0592 | ![]() | 7231 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | V1FM10 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-V1FM10-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 770 MV @ 1 A | 50 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1A | 95pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZG05C4V7-M3-08 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.38% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C4V7 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 13 ohmios | ||||||||||||
![]() | RGP10GHM3/73 | - | ![]() | 7660 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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