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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZX84B47-HE3-08	0.0341	RFQ	3339	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B47		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 32.9 V						47 V	170 ohmios
CS3J-E3/I	0.3600	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	CS3	Estándar		DO-214AB (SMC)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 v @ 3 a	2.8 µs	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	26pf @ 4V, 1MHz
10ets08strl	-	RFQ	7533	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10ets08	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 10 a		50 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-88CNQ060AMSPBF	-	RFQ	2326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	D-61-8-SM	88CNQ060	Schottky		D-61-8-SM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS88CNQ060AMSPBF	EAR99	8541.10.0080	400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	40A	580 MV @ 40 A		640 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
TZQ5229B-GS08	0.0303	RFQ	5940	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5229		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V						4.3 V	22 ohmios
BZX55F24-TAP	-	RFQ	6920	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 18 V						24 V	80 ohmios
MMSZ5233C-HE3_A-08	0.0566	RFQ	9607	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5233C-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	7 ohmios
BZG03C200-M3-08	0.5000	RFQ	8157	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C200		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 150 V						200 V	500 ohmios
VS-16CTU04-N3	-	RFQ	3791	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	16ctu04	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-16CTU04-N3GI	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	8A	1.3 V @ 8 A	43 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C
SMZG3799AHE3/52	-	RFQ	7935	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMZG37		1.5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750							5 µA @ 20.6 V						27 V	23 ohmios
MMBZ5226B-G3-08	-	RFQ	6467	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5226		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							25 µA @ 1 V						3.3 V	28 ohmios
SMZJ3802B-M3/5B	0.1304	RFQ	5010	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3802		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 27.4 V						36 V	38 ohmios
VS-HFA04SD60S-M3	1.7300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HFA04	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-HFA04SD60S-M3GI	EAR99	8541.10.0080	75	-		600 V		1.8 V @ 4 A		3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	-
BZD27C75P-M-08	-	RFQ	1035	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C75		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V						75 V	100 ohmios
GP10K-E3/54	0.4900	RFQ	1941	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
Rs1pjhe3/84a	-	RFQ	6452	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	Rs1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
BZG05B30-M3-08	0.1980	RFQ	4490	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B30		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 22 V						30 V	30 ohmios
DF04S-E3/45	0.8300	RFQ	925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF04	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		5 µA @ 400 V		1 A		Fase única	400 V
MBR3035CT-E3/45	-	RFQ	4522	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR30	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	600 MV @ 15 A		1 ma @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
RGP30GL-5003E3/72	-	RFQ	3301	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto					Rgp30				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000
BZX384B68-E3-18	0.0360	RFQ	8983	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B68		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 47.6 V						68 V	240 ohmios
BZX84B13-E3-18	0.0324	RFQ	8512	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B13		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 8 V						13 V	30 ohmios
B230LA-E3/5AT	0.4200	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	B230	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 2 A		500 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
S1ghe3/61t	-	RFQ	7447	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1g	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
BZT52C4V3-HE3_A-08	0.0533	RFQ	4308	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW	SOD-123	descascar				112-BZT52C4V3-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000							1 µA @ 1 V						4.3 V	95 ohmios
VS-HFA70FA120	53.7410	RFQ	5098	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Banda	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	HFA70	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSHFA70FA120	EAR99	8541.10.0080	160	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1200 V	70a	3.8 V @ 60 A	51 ns	75 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKD600-16PBF	388.7300	RFQ	1794	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Super Magn-A-Pak	VSKD600	Estándar		Super Magn-A-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvskd60016pbf	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1600 V	300A			50 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZT52B5V6-E3-08	0.3100	RFQ	27	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B5V6		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							100 na @ 1 V						5.6 V	40 ohmios
Zpy22-tr	0.3700	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Zpy22		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							500 na @ 17 V						22 V	7 ohmios
BZD27C51P-E3-08	0.4400	RFQ	5726	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27c	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C51		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 39 V						51 V	60 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Diodos (29505)

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15,000 m²