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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4755A-TR	0.3600	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4755		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V						43 V	70 ohmios
MMBZ5239C-E3-18	-	RFQ	4798	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5239		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 7 V						9.1 V	10 ohmios
GDZ8V2B-E3-08	0.0360	RFQ	5556	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Gdz	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ8V2		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								500 na @ 5 V						8.2 V	30 ohmios
VS-KBPC806PBF	4.3300	RFQ	865	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	VS-KBPC8	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, D-72	KBPC806	Estándar		D-72	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSKBPC806PBF	EAR99	8541.10.0080	100						1 v @ 3 a		10 µA @ 600 V		8 A		Fase única	600 V
MMBZ5240C-HE3-08	-	RFQ	4746	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5240		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								3 µA @ 8 V						10 V	17 ohmios
BZX384C11-E3-08	0.2400	RFQ	9292	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C11		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								100 na @ 8 V						11 V	20 ohmios
VS-45L10	34.6460	RFQ	2834	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Montaje	DO-205AC, DO-30, Stud	45L10	Estándar		DO-205AC (DO-30)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS45L10	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.33 v @ 471 a			-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
Bym36a-tap	0.5049	RFQ	4050	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYM36	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.6 v @ 3 a	100 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
TLZ8V2A-GS08	0.0335	RFQ	5066	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ8V2		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 Ma		7.5 µA @ 7.15 V						8.2 V	8 ohmios
BZG05C11-He3-TR	-	RFQ	6527	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 8.2 V						11 V	8 ohmios
BZX55C22-TR	0.2300	RFQ	26	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C22		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 16 V						22 V	55 ohmios
VS-42HF40	6.2830	RFQ	6325	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	42HF40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS42HF40	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 125 A			-65 ° C ~ 190 ° C	40A	-
GDZ2V2B-HG3-18	0.0509	RFQ	1032	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ2V2		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								120 µA @ 700 MV						2.2 V	100 ohmios
Fes8fthe3/45	-	RFQ	7987	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes8	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZD27C8V2P-HE3-18	0.1520	RFQ	6418	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C8V2		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 3 V						8.2 V	2 ohmios
As4pjhm3/86a	-	RFQ	1478	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AS4	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		962 MV @ 2 A	1.8 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	60pf @ 4V, 1MHz
S1D-M3/5AT	0.0508	RFQ	6258	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1D	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
VS-42CTQ030STRRHM3	1.4653	RFQ	7709	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	42CTQ030	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	20A	480 MV @ 20 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B13-G3-18	0.0483	RFQ	1943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B13		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 10 V						13 V	9 ohmios
BZX384C3V3-HE3-08	0.2600	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C3V3		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								5 µA @ 1 V						3.3 V	95 ohmios
AZ23C20-HE3-18	0.0436	RFQ	8586	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C20		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 15 V						20 V	50 ohmios
VS-12FL60S05	5.3962	RFQ	7407	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	12fl60	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.4 v @ 12 a	500 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
GBU8M-M3/45	2.2100	RFQ	4411	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU8	Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20						1 v @ 8 a		5 µA @ 1000 V		8 A		Fase única	1 kV
Tzx18b-TR	0.2100	RFQ	18	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX18		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 13 V						18 V	55 ohmios
GDZ4V7B-E3-18	0.0360	RFQ	5327	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Gdz	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ4V7		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								2 µA @ 1 V						4.7 V	100 ohmios
BZT03C100-TAP	0.2640	RFQ	8596	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 6%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C100		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 75 V						100 V	200 ohmios
BZD27C130P-M3-08	0.1733	RFQ	3055	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C130		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 100 V						130 V	300 ohmios
MMBZ5257C-HE3-08	-	RFQ	1786	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5257		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 25 V						33 V	58 ohmios
BZG05B5V1-M3-08	0.1980	RFQ	3581	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1.96%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B5V1		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 1.5 V						5.1 V	10 ohmios
SML4738AHE3/5A	-	RFQ	7546	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4738		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500								10 µA @ 6 V						8.2 V	4.5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²