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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SMZJ3790B-E3/52	0.1546	RFQ	1416	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3790		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750							10 µA @ 8.4 V						11 V	6 ohmios
BZX84C15-G3-08	0.2700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C15		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							50 na @ 10.5 V						15 V	30 ohmios
Ugf8hthe3_a/p	-	RFQ	1390	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada		Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112 -ugf8Hthe3_a/p	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.75 v @ 8 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
ES1A-E3/61T	0.4000	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ES1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
SMBZ5920B-E3/52	0.4400	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBZ5920		3 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750					1.5 V @ 200 Ma		200 µA @ 4 V						6.2 V	2 ohmios
V40DM153CHM3/I	1.6400	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete		Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	20A	1.12 v @ 20 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C
BZG05C18-HE3-TR3	-	RFQ	3393	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 13 V						18 V	20 ohmios
BZX85C18-TAP	0.3800	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C18		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							500 na @ 13 V						18 V	20 ohmios
Es1dhm3_a/i	0.1049	RFQ	6006	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ES1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-ES1DHM3_A/ITR	EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
VS-305U250	-	RFQ	9139	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	305U250	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2500 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	300A	-
V1fm10hm3/h	0.4300	RFQ	147	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V1FM10	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		770 MV @ 1 A		50 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1A	95pf @ 4V, 1 MHz
MURS360-E3/57T	0.6900	RFQ	2272	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Murs360	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.28 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
BZD27C18P-M3-08	0.1650	RFQ	1935	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 13 V						18 V	15 ohmios
Fesf16fthe3_a/p	1.1055	RFQ	1143	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	FESF16	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.3 V @ 16 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-15ETH03PBF	-	RFQ	9944	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	15eth03	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 V @ 15 A	40 ns	40 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
SML4738HE3_A/I	0.1434	RFQ	3812	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4738		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500							10 µA @ 6 V						8.2 V	4.5 ohmios
BZG03C15-M3-08	0.5000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C15		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 11 V						15 V	10 ohmios
BZG05C13-E3-TR	-	RFQ	3655	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 10 V						13 V	10 ohmios
VS-20CTQ040-N3	-	RFQ	6794	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	20CTQ040	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-20CTQ040-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	20A	760 MV @ 20 A		2 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-S627B	-	RFQ	8141	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S627B				-				112-VS-S627B			1
BU1210-E3/51	1.1466	RFQ	3196	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, BU	BU1210	Estándar		isocink+™ bu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	250					1.05 v @ 6 a		5 µA @ 1000 V		3.4 A		Fase única	1 kV
VF30202C-M3/4W	1.5645	RFQ	3836	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VF30202	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	880 MV @ 15 A		250 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
Zpy30-tr	0.3700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Zpy30		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							500 na @ 22.5 V						30 V	10 ohmios
SML4741-E3/5A	0.1733	RFQ	7142	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4741		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500							5 µA @ 8.4 V						11 V	8 ohmios
SS210-E3/52T	0.4400	RFQ	135	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS210	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		750 MV @ 1 A		30 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
BZD27B12P-HE3-18	0.1238	RFQ	3906	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27B	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 9.1 V						12 V	7 ohmios
BYW56-TR	0.6700	RFQ	43	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	ByW56	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1 V @ 1 A	4 µs	1 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	-
BA159GP-E3/73	0.5600	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA159	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
V20K202-M3/I	0.5082	RFQ	6575	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V20K202-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.02 v @ 20 a		100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 165 ° C	3.2a	800pf @ 4V, 1MHz
Fepb16dthe3_a/p	1.1550	RFQ	5197	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	8A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²