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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52B13-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 1943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B13 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 9 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BYM11-50HE3/96 | - | ![]() | 1457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym11 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BYM11-50HE3_A/H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | GDZ8V2B-E3-08 | 0.0360 | ![]() | 5556 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Gdz | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ8V2 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 500 na @ 5 V | 8.2 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
![]() | ZM4758A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4758 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | ||||||||||||||
![]() | GDZ2V2B-HG3-18 | 0.0509 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ2V2 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 120 µA @ 700 MV | 2.2 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
![]() | TLZ16-GS18 | 0.0335 | ![]() | 6600 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ16 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 16 V | 18 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SL23-M3/5BT | 0.1464 | ![]() | 8295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SL23 | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||||
![]() | MBRF760-E3/45 | - | ![]() | 2098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | MBRF7 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 7.5 A | 500 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | ||||||||||||
![]() | SBLF1030HE3/45 | - | ![]() | 4308 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SBLF1030 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 600 MV @ 10 A | 1 ma @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 10A | - | ||||||||||||
![]() | Rs1pdhe3/84a | - | ![]() | 1887 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | Rs1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MMSZ5259B-HE3_A-08 | 0.0549 | ![]() | 1814 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5259B-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | ZMM5264B-13 | - | ![]() | 9324 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5264B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 46 V | 60 V | 170 ohmios | |||||||||||||
![]() | SMPZ3924B-E3/84A | - | ![]() | 6641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | SMPZ39 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 4 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-STPS1045BPBF | - | ![]() | 8837 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | STPS1045 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 10 A | 200 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||
KBU6D-E4/51 | 2.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | KBU6 | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||
![]() | 1N5241C-TAP | 0.0288 | ![]() | 5545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5241 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||||
![]() | SMZG3788B-E3/52 | 0.2511 | ![]() | 5192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMZG3788 | 1.5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7 V | 9.1 V | 4 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZG05C27-HM3-18 | 0.1172 | ![]() | 6433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7.04% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C27 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 20 V | 27 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX384C12-HE3-08 | 0.2600 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C12 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
![]() | ZM4753A-GS18 | 0.3900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4753 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Uh6pjhm3/87a | - | ![]() | 8957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH6 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3 V @ 6 A | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||
![]() | VS-20ETS12SPBF | - | ![]() | 4045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20ets12 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20ETS12SPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.1 V @ 20 A | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
![]() | BYT28-400HE3/45 | - | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | ByT28 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MMSZ4714-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 6895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ4714-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 10 na @ 25 V | 33 V | |||||||||||||||||
![]() | TZM5224B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5224 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.8 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | Sblb25l30cthe3_b/p | 1.0395 | ![]() | 9732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB25L30 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-SBLB25L30CThe3_B/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 12.5a | 490 MV @ 12.5 A | 900 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-HFA15TB60SPBF | - | ![]() | 3707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA15 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||
![]() | V10170C-M3/4W | 0.9691 | ![]() | 5071 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V10170 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 170 V | 5A | 1.03 v @ 5 a | 90 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-30WQ04FNTRRHM3 | 0.8379 | ![]() | 8115 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 30WQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS30WQ04FNTRRHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 530 MV @ 3 A | 2 Ma @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 189pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | GDZ5V6B-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ5V6 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 60 ohmios |
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