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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMZG3788B-E3/52 | 0.2511 | ![]() | 5192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMZG3788 | 1.5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7 V | 9.1 V | 4 ohmios | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5242C-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 2159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5242 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
![]() | PLZ2V0A-G3/H | 0.2800 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.53% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ2V0 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 120 µA @ 500 MV | 1.99 V | 140 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX384C15-HE3-18 | 0.2600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C15 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
![]() | GBU4JL-5707E3/45 | - | ![]() | 2338 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||
![]() | GBU6JL-5306E3/45 | - | ![]() | 7234 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 3.8 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||
![]() | ES2G-E3/52T | 0.4300 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ES2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 2 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | GBU6JL-7001E3/45 | - | ![]() | 5589 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 3.8 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||
![]() | SMPZ3923B-M3/84A | 0.1462 | ![]() | 4385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | SMPZ3923 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZG05B56-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 5886 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05B56 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 43 V | 56 V | 120 ohmios | |||||||||||||
![]() | TZMC1V0-M-08 | - | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc1v0 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 V | |||||||||||||||
![]() | SS1FH6-M3/I | 0.0870 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS1FH6 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 3 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 90pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | TZS4700-GS08 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | TZS4700 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 9.8 V | 13 V | ||||||||||||||
![]() | VS-6TQ035STRR-M3 | 0.5613 | ![]() | 9818 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 6TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 600 MV @ 6 A | 800 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-111CNQ045AmSPBF | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | D-61-8-SM | 111CNQ045 | Schottky | D-61-8-SM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS111CNQ045AMSPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 110A | 1.5 Ma @ 45 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||||
![]() | V15K202C-M3/H | 0.6542 | ![]() | 5297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-V15K202C-M3/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 3A | 900 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | BZX55F8V2-TR | - | ![]() | 2835 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 6.2 V | 8.2 V | 7 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZG05C13-HE3-TR | - | ![]() | 6572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX85B13-TAP | 0.3800 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85B13 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
![]() | TZMC3V0-GS08 | 0.2300 | ![]() | 227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc3v0 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 4 µA @ 1 V | 3 V | 90 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZG03C16-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 3957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.63% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C16 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | |||||||||||||
![]() | SMZJ3791A-E3/52 | - | ![]() | 9707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SML4745AHE3/61 | - | ![]() | 1431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4745 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SML4754AHE3_A/H | 0.2253 | ![]() | 5313 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4754 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | ||||||||||||||
![]() | V40PWM153CHM3/I | 1.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 1.04 v @ 20 a | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | MMSZ5241B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 5267 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5241 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | ||||||||||||||
![]() | TLZ3V3B-GS18 | 0.0335 | ![]() | 3015 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tlz3v3 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.3 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | MMSZ5235C-E3-18 | 0.0433 | ![]() | 5682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5235 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 5 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZT55C3V9-GS18 | 0.0283 | ![]() | 3461 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BZT55C3V9 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZT52B3V6-HE3-18 | 0.0454 | ![]() | 8447 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B3V6 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3.6 V | 80 ohmios |
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