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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZD27C47P-HE3-08	0.4200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C47		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 36 V				47 V	45 ohmios
25ctq045s	-	RFQ	4639	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UGF8DT-E3/45	-	RFQ	2755	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UGF8	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 8 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZX84B3V3-G3-08	0.0389	RFQ	1583	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Bzx84b3v3		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 1 V				3.3 V	95 ohmios
LS4150GS08	0.2000	RFQ	45	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Variatura Sod-80	LS4150	Estándar		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 200 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	175 ° C (Máximo)	600mA	2.5pf @ 0V, 1 MHz
30CTQ035S	-	RFQ	4668	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*30CTQ035S	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	620 MV @ 15 A		2 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-MBRD330TRLPBF	-	RFQ	2016	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	MBRD3	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		490 MV @ 3 A		200 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	189pf @ 5V, 1 MHz
MBRB25H35CThe3_B/P	1.0230	RFQ	8891	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB25	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	640 MV @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
BZW03C18-TAP	-	RFQ	6767	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.2 v @ 1 a		2 µA @ 13 V				18 V	2.5 ohmios
V10PW12-M3/I	0.3036	RFQ	8701	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V10PW12-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		780 MV @ 10 A		400 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	1110pf @ 4V, 1MHz
EGL34D/1	-	RFQ	1192	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
VX40120CHM3/P	1.1303	RFQ	3863	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-VX40120CHM3/P	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	20A	830 MV @ 20 A		600 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZX84C11-G3-08	0.2700	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C11		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								100 na @ 8 V				11 V	20 ohmios
VS-2EGH02HM3_A/I	0.4700	RFQ	9465	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	2EGH02	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		900 MV @ 2 A	25 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2a	-
ESH1PB-M3/84A	0.4600	RFQ	1504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	ESH1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5248B-HE3_A-18	-	RFQ	8066	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5248B-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1						900 MV @ 10 Ma		100 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
1N5238B-TAP	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5238		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 V	8 ohmios
SD101BW-G3-18	0.0577	RFQ	1889	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD101	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		400 MV @ 1 MA	1 ns	200 na @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	30mera	2.1pf @ 0V, 1MHz
AR3PDHM3/87A	-	RFQ	1215	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AR3	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.6 v @ 3 a	140 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.8a	44pf @ 4V, 1 MHz
Egf1the3_a/i	0.8200	RFQ	8709	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA		Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1300 V		3 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 1300 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
DZ23C5V6-E3-08	0.0415	RFQ	3018	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común							100 na @ 1 V				5.6 V	40 ohmios
AZ23B2V7-HE3_A-08	-	RFQ	3288	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23B2V7-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							20 µA @ 1 V				2.7 V	100 ohmios
SD103BWS-HE3-18	0.0606	RFQ	7906	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	SD103	Schottky		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
Murs140-m3/5bt	0.1280	RFQ	4435	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs140	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SMZJ3788-E3/5B	-	RFQ	3694	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ37		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200								50 µA @ 7 V				9.1 V	4 ohmios
V20PL63HM3/H	1.0900	RFQ	6616	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V20PL63	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		640 MV @ 20 A		600 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	3400pf @ 4V, 1MHz
ZGL41-120A-E3/96	0.5600	RFQ	5564	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	ZGL41		1 W	GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 91.2 V				120 V	380 ohmios
BZD27B4V3P-M3-18	0.1155	RFQ	7941	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b-m	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	Bzd27b4v3		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V				4.3 V	7 ohmios
AZ23B13-HE3-18	0.0534	RFQ	1189	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B13		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 10 V				13 V	25 ohmios
GL34B-E3/98	0.4100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	GL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²