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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BYWB29-200-E3/45	0.6674	RFQ	1909	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Bywb29	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VLZ20D-GS18	-	RFQ	1322	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ20		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 17.1 V				20.22 V	28 ohmios
GP10-4003EHM3/54	-	RFQ	1161	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
SE10FJHM3/H	0.4400	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SE10	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 v @ 1 a	780 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	7.5pf @ 4V, 1 MHz
SE30AFG-M3/6A	0.4400	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SE30	Estándar		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.4a	19PF @ 4V, 1MHz
V10pm12hm3_a/i	0.3858	RFQ	1112	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10PM12	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		830 MV @ 10 A		400 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.9a	-
SML4731AHE3/5A	-	RFQ	5360	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4731		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500							10 µA @ 1 V				4.3 V	9 ohmios
BZX85C7V5-TAP	0.3800	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C7V5		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							1 µA @ 4.5 V				7.5 V	3 ohmios
RGP10ke-E3/54	0.1754	RFQ	8538	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-60CTQ150PBF	-	RFQ	9132	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	60ctq150	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	30A	880 MV @ 30 A		75 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BZD27B3V9P-HM3-18	-	RFQ	7635	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B3V9		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.9 V	8 ohmios
UF4002-E3/53	0.2219	RFQ	2678	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF4002	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
VS-1N1183RA	12.4400	RFQ	100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N1183	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 126 A		2.5 mA @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
AS3PGHM3/87A	-	RFQ	4283	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AS3	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		920 MV @ 1.5 A	1.2 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.1a	37pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRS130-M3/5BT	0.3600	RFQ	7473	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	MBRS130	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		420 MV @ 1 A		1 ma @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	200pf @ 5V, 1MHz
MBRB10H90CThe3/81	-	RFQ	9143	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		760 MV @ 5 A		3.5 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	-
FES8CT-E3/45	1.1900	RFQ	997	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes8	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZG05B10-HE3-TR	-	RFQ	5968	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 7 V				10 V	7 ohmios
V8P12-M3/87A	0.3630	RFQ	4420	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V8P12	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		840 MV @ 8 A		300 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
V2PM12-M3/H	0.3900	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V2PM12	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		980 MV @ 2 A		50 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	140pf @ 4V, 1MHz
TLZ8V2C-GS18	0.0335	RFQ	5496	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ8V2		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		7.5 µA @ 7.63 V				8.2 V	8 ohmios
BZT03D16-TAP	-	RFQ	8159	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 5.63%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 12 V				16 V	15 ohmios
MMBZ4706-E3-08	-	RFQ	6693	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4706		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 14.4 V				19 V
GI816HE3/54	-	RFQ	8502	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GI816	Estándar		DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-ETL1506STRR-M3	0.7542	RFQ	4648	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	ETL1506	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VsetL1506Strm3	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.45 V @ 15 A		15 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
Au2pdhm3/86a	-	RFQ	5644	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Au2	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.9 v @ 2 a	75 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.6a	42pf @ 4V, 1 MHz
VBT2045CHM3/I	-	RFQ	3506	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT2045	Schottky		Un 263ab	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	10A	580 MV @ 10 A		2 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZG05B9V1-HM3-18	0.2079	RFQ	9482	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1.98%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B9V1		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 6.8 V				9.1 V	5 ohmios
VS-81CNQ040AMSPBF	-	RFQ	4052	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	D-61-8-SM	81CNQ040	Schottky		D-61-8-SM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS81CNQ040AmSPBF	EAR99	8541.10.0080	400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	40A	600 MV @ 40 A		5 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C
V12P8-M3/86A	0.3797	RFQ	4565	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V12P8	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		80 V		660 MV @ 12 A		1 ma @ 80 V	-40 ° C ~ 150 ° C	4.3a	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²