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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-HFA320NJ40CPBF	56.8300	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	TO-244AB	HFA320	Estándar		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	420a	1.54 V @ 320 A	140 ns	3 Ma @ 400 V
BZG03C11-HM3-18	0.1898	RFQ	7653	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.45%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C11		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		4 µA @ 8.2 V				11 V	7 ohmios
Murs120/2	-	RFQ	8065	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs120	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		875 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
83CNQ080A	-	RFQ	3364	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-61-8	83cnq	Schottky		D-61-8	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	40A	1 V @ 80 A		1.5 Ma @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BZD27B43P-HE3-08	0.1238	RFQ	8156	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27B	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B43		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 33 V				43 V	45 ohmios
BZX84C2V7-E3-08	0.2300	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C2V7		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								20 µA @ 1 V				2.7 V	100 ohmios
VS-MBRB1035TRL-M3	0.6107	RFQ	2874	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB1035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		570 MV @ 10 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-12FLR60S02	5.6976	RFQ	5780	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	12FLR60	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.4 v @ 12 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
DZ23C20-HE3_A-18	-	RFQ	8850	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-DZ23C20-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Cátodo Común							100 na @ 15 V				20 V	20 ohmios
VS-8EWH06FNTRR-M3	0.4981	RFQ	1288	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8ewh06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS8EWH06FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
MBRF2560CT/45	-	RFQ	1456	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF2560	Schottky		ITO-220AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	750 MV @ 15 A		1 ma @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
60epf04	-	RFQ	1005	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	60epf04	Estándar		To47ac modificado	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 60 A	180 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
GP15M-E3/73	0.6000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GP15	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 V @ 1.5 A	3.5 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
60EPU04	-	RFQ	6563	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	60EPU04	Estándar		To47ac modificado	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 V @ 60 A	85 ns	50 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
VS-EPU3006L-M3	-	RFQ	4380	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	EPU300	Estándar		TO-247 LARGOS LARGOS	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.65 V @ 30 A	26 ns	30 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
BZT52C51-E3-18	0.0360	RFQ	8212	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C51		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 38 V				51 V	70 ohmios
SE30AFBHM3/6A	0.4900	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SE30	Estándar		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.4a	19PF @ 4V, 1MHz
VS-60EPU06HN3	5.1789	RFQ	8603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	60epu06	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS60EPU06HN3	EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.68 V @ 60 A	81 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
PTV22B-E3/84A	-	RFQ	8107	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6%	150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	PTV22		600 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 17 V				23.3 V	14 ohmios
SS3P3HM3/85A	0.1040	RFQ	8627	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	Ss3p3	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		580 MV @ 3 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	130pf @ 4V, 1MHz
VS-40L15CT-1-M3	1.2420	RFQ	2959	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	40L15	Schottky		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	15 V	20A	410 MV @ 19 A		10 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C
PLZ5V6C-HG3_A/H	0.3600	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, PLZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2.6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ5V6		960 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500						900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 2.5 V				5.76 V	13 ohmios
UGF18ACThe3_A/P	-	RFQ	5923	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UGF18	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
V6W60C-M3/I	-	RFQ	6346	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V6W60	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	3A	570 MV @ 3 A		2.2 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GDZ2V7B-HE3-18	0.0378	RFQ	4283	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ2V7		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 µA @ 1 V				2.7 V	110 ohmios
BZD27C4V7P-HE3-18	0.1561	RFQ	5786	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C4V7		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.7 V	7 ohmios
VS-50WQ04FNTRR-M3	0.3236	RFQ	6557	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	50WQ04	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS50WQ04FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		510 MV @ 5 A		3 Ma @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5a	405pf @ 5V, 1 MHz
MBRB745-E3/81	1.1700	RFQ	143	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB745	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		840 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
VS-45APS12LHM3	4.1000	RFQ	179	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	45APS12	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.14 V @ 45 A		100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	45a	-
VS-12CWQ10FNTRLHM3	1.3599	RFQ	9947	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12CWQ10	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS12CWQ10FNTRLHM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	6A	950 MV @ 12 A		1 ma @ 100 V	150 ° C (Máximo)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²