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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
AZ23B33-E3-08	0.0509	RFQ	5447	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B33		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 25 V				33 V	80 ohmios
MMBZ4690-G3-08	-	RFQ	4996	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4690		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								10 µA @ 4 V				5.6 V
VB20150C-E3/8W	1.6600	RFQ	800	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB20150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	10A	1.2 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BAS40-04-G3-08	0.3900	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	Conexión de la Serie de 1 par	40 V	200 MMA	1 V @ 40 Ma	5 ns	100 na @ 30 V	125 ° C (Máximo)
VS-UFB80FA60	17.0741	RFQ	2034	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB80	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSUFB80FA60	EAR99	8541.10.0080	160		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	600 V	57a	1.9 V @ 60 A	34 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Fesb8hthe3_a/i	0.8910	RFQ	4427	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FESB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
GP10-4005E-M3/54	-	RFQ	2345	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-E5PH6006L-N3	3.2100	RFQ	949	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	E5PH6006	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5PH6006L-N3	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 60 A	54 ns	25 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
VS-80-1336PBF	-	RFQ	2447	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Tubo	Obsoleto					VS-80				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	50
VS-MBRB1035PBF	-	RFQ	1834	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		840 MV @ 20 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SS15HE3_B/H	0.3700	RFQ	6655	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS15	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		750 MV @ 1 A		200 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MMBZ4704-E3-18	-	RFQ	4427	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4704		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 12.9 V				17 V
VBT3060G-E3/8W	0.5483	RFQ	9583	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT3060	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	730 MV @ 15 A		850 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-SD1500C30L	145.4900	RFQ	3806	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD1500	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		3000 V		1.64 V @ 3000 A		50 mA @ 3000 V		1600A	-
V35pwm12hm3/i	1.3600	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V35PWM12	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		1.05 V @ 35 A		1.2 Ma @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	35a	2080pf @ 4V, 1MHz
SSA34HE3/5AT	-	RFQ	9405	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SSA34	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		490 MV @ 3 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
AS3PD-M3/86A	0.2871	RFQ	8896	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AS3	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		920 MV @ 1.5 A	1.2 µs	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.1a	37pf @ 4V, 1MHz
60epf04	-	RFQ	1005	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	60epf04	Estándar		To47ac modificado	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 60 A	180 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
GI250-2-M3/54	-	RFQ	6194	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GI250	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	11,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V		3.5 V @ 250 Ma	2 µs	5 µA @ 2000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	-
STPS20L15G	-	RFQ	8099	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STPS20	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		410 MV @ 19 A		10 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	20A	-
VE2045C-E3/45	-	RFQ	7573	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	VE2045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	10A	700 MV @ 10 A		500 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-16FR120	8.3700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	16FR120	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.23 V @ 50 A		12 Ma @ 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
MBR30H100CT-E3/4W	-	RFQ	4435	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR30	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	15A	820 MV @ 15 A		5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Byg10y-e3/tr	0.4500	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 1600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
UGF18BCThe3_A/P	-	RFQ	6612	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UGF18	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Byg22bhm3_a/i	0.2251	RFQ	8357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg22	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 2 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
VS-10MQ040NTRPBF	0.6400	RFQ	169	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	10MQ040	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		540 MV @ 1 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	38pf @ 10V, 1 MHz
BYT28-400-E3/45	-	RFQ	3655	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	ByT28	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	5A	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-70HFL40S05	11.6125	RFQ	2052	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFL40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.85 V @ 219.8 A	500 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
VS-6FR60	3.7351	RFQ	2223	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FR60	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 19 a		12 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²