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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZM55C56-TR3	0.0368	RFQ	1195	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55C56		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 43 V				56 V	1000 ohmios
VS-T85HFL10S02	40.4870	RFQ	5694	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T85	Estándar		D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V			200 ns	20 Ma @ 100 V		85a	-
VS-SD300R25pc	109.6625	RFQ	9694	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	SD300	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2500 V		1.83 V @ 1180 A		15 Ma @ 2500 V	-40 ° C ~ 150 ° C	380A	-
MBR10H35-E3/45	-	RFQ	9329	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR10	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		630 MV @ 10 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
VS-150K60A	37.3500	RFQ	49	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento	150k60	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.33 v @ 471 a		35 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
BA158GP-E3/54	0.1822	RFQ	2459	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA158	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
10ETF04FP	-	RFQ	7517	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	10etf04	Estándar		To20ac paqueto entero	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 10 a	145 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-48CTQ060PBF	-	RFQ	4553	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	48CTQ060	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	610 MV @ 20 A		2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZG05C10-HM3-18	0.1172	RFQ	9401	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C10		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 7 V				10 V	7 ohmios
BZG05C20TR3	-	RFQ	8953	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 15 V				20 V	600 ohmios
TZM5235F-GS08	-	RFQ	2799	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5235		500 MW	Sod-80 mínimo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	2.500					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 5 V				6.8 V	750 ohmios
GF1JHE3/5CA	-	RFQ	2443	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SL42-E3/9AT	0.4627	RFQ	3932	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SL42	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		420 MV @ 4 A		500 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	4A	-
1N5627-TAP	1.0900	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	1N5627	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1 v @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
155CMQ015	-	RFQ	5595	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-249AA (Modificado), D-60	155cmq	Schottky		D-60	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*155CMQ015	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	15 V	75a	440 MV @ 75 A		20 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C
VSSAF5M10-M3/I	0.1238	RFQ	1850	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF5M10	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		790 MV @ 5 A		400 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	5A	470pf @ 4V, 1MHz
SD101B-TR	0.3700	RFQ	49	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	SD101	Schottky		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		950 MV @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	30mera	2pf @ 0V, 1 MHz
HFA75MC40C	-	RFQ	4580	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	To-249aa	HFA75	Estándar		To-249aa	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*HFA75MC40C	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	75a (DC)	1.5 V @ 75 A	100 ns	3 µA @ 400 V
TZMB3V3-GS18	0.3100	RFQ	3341	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	Tzmb3v3		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				3.3 V	90 ohmios
GL41B/54	-	RFQ	5422	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar		DO-213AB	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
BZT55C3V0-GS08	0.2100	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55C3V0		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		4 µA @ 1 V				3 V	90 ohmios
VBT2060C-M3/4W	0.8443	RFQ	7439	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT2060	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	10A	650 MV @ 10 A		850 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Byv28-100-tap	1.3400	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYV28	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 5 a	30 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3.5a	-
GI852-E3/54	-	RFQ	2466	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GI852	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.25 v @ 3 a	200 ns	10 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
Bav19-tap	0.0274	RFQ	4824	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BAV19	Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	50,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 100 V	175 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
HFA16TA60CS	-	RFQ	4512	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	8a (DC)	1.7 V @ 8 A	55 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UGF18ACThe3_A/P	-	RFQ	5923	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UGF18	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
180NQ035	-	RFQ	8820	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	180NQ035	Schottky		D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*180NQ035	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		600 MV @ 180 A		15 Ma @ 35 V		180A	7700pf @ 5V, 1MHz
GP10AHE3/73	-	RFQ	8072	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-SD300R20PC	97.3500	RFQ	3958	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	SD300	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V		1.83 V @ 1180 A		15 Ma @ 2000 V	-40 ° C ~ 180 ° C	380A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²