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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-MBR160TR	-	RFQ	6250	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	MBR1	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		750 MV @ 1 A		500 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MBRF735-E3/45	-	RFQ	7551	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF7	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		840 MV @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
Smaz5930b-e3/5a	0.1150	RFQ	3588	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5930		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
SD453R20S30pc	-	RFQ	7514	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	B-8	SD453	Estándar		B-8	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*SD453R20S30pc	EAR99	8541.10.0080	6		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V		1.85 V @ 1500 A	3 µs	50 Ma @ 2000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	450A	-
SB1H90-E3/54	0.3500	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SB1H90	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		770 MV @ 1 A		1 µA @ 90 V	175 ° C (Máximo)	1A	-
MPG06B-E3/73	-	RFQ	4660	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C36-E3-18	0.2700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C36		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 27 V				36 V	40 ohmios
BY29B-600HE3/45	-	RFQ	9146	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	BY229	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.85 V @ 20 A	145 ns	10 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
SS34-3HE3_A/I	-	RFQ	2837	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss34	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-12CWQ03FNTRR-M3	0.9200	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12CWQ03	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	6A	550 MV @ 12 A		3 Ma @ 30 V	150 ° C (Máximo)
SS2PH9HM3/85A	-	RFQ	4493	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SS2PH9	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		800 MV @ 2 A		1 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	65pf @ 4V, 1 MHz
TZMB27-GS18	0.0411	RFQ	5426	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMB27		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 20 V				27 V	80 ohmios
Tzx3v0b-tr	0.2100	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx3v0		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 500 MV				3 V	100 ohmios
BZG05C8V2-M3-18	0.1089	RFQ	2045	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.1%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C8V2		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				8.2 V	5 ohmios
DZ23C3V3-HE3_A-18	-	RFQ	8932	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-DZ23C3V3-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Cátodo Común											3.3 V	80 ohmios
150ksr5	-	RFQ	6528	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	B-42	150ksr5	Estándar		B-42	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*150KSR5	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.33 v @ 471 a		35 Ma @ 50 V	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
MBR30H100PT/45	-	RFQ	8466	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	MBR30	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	15A	820 MV @ 15 A		5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
SMBZ5934B-M3/52	0.1906	RFQ	3491	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBZ5934		550 MW	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19 ohmios
SML4761HE3/5A	-	RFQ	8663	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4761		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 56 V				75 V	175 ohmios
VS-50SQ080GTR	-	RFQ	4863	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	50sq080	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS50SQ080GTR	EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		80 V		660 MV @ 5 A		150 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	500pf @ 5V, 1MHz
GSD2004W-HE3-18	0.3100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	GSD2004	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		240 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 240 V	150 ° C (Máximo)	225 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
BZX55B51-TR	0.0271	RFQ	2054	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B51		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 39 V				51 V	125 ohmios
AZ23B5V6-HE3-18	0.0534	RFQ	7559	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B5V6		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 1 V				5.6 V	40 ohmios
GP10Y-E3/54	0.4900	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.3 V @ 1 A	3 µs	5 µA @ 1600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
TZQ5244B-GS08	0.0303	RFQ	8782	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5244		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 10 V				14 V	15 ohmios
1N5243B-T	-	RFQ	2291	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5243		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V				13 V	600 ohmios
BZG05C15-M3-08	0.3900	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C15		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 V	15 ohmios
BY133GP-E3/54	-	RFQ	1118	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	BY133	Estándar		DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1300 V		1.2 v @ 2 a	2 µs	5 µA @ 1300 V	-	1A	-
VS-SD800C45L	244.3367	RFQ	3126	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Apretar	Do-200ab, B-PUK	SD800	Estándar		Do-200ab, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		4500 V		1.95 V @ 2000 A		50 Ma @ 4500 V		1065a	-
VS-85HFL10S05	14.0453	RFQ	9586	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85hfl10	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V			500 ns	100 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C	85a	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²