SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
UGB10DCT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB10DCT-E3/81 -
RFQ
ECAD 4497 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab UGB10 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 5A 1.1 v @ 5 a 25 ns 10 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-15ETU12HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETU12HN3 0.9240
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 15etu12 Estándar TO20AC descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.78 V @ 15 A 167 ns 80 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
SE07PG-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE07PG-E3/85A -
RFQ
ECAD 3758 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO220AA SE07 Estándar DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.05 V @ 700 Ma 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5PF @ 4V, 1MHz
BYX85TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byx85tap 0.2772
RFQ
ECAD 2740 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Sod-57, axial Byx85 Avalancha Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 20pf @ 4V, 1 MHz
MBR10100CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10100CT-E3/4W 1.2900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1010 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 850 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C
VS-12CTQ035PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ035PBF -
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 12CTQ035 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 6A 600 MV @ 6 A 800 µA @ 35 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZG03B120TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bzg03b120tr3 -
RFQ
ECAD 8747 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG03B Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03 1.25 W DO-214AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 91 V 120 V 250 ohmios
VS-VSKJ71/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ71/10 40.8800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis Add-a-pak (3) VSKJ71 Estándar Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 1000 V 40A 10 Ma @ 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-25F100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F100M 8.5474
RFQ
ECAD 1898 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 25f100 Estándar DO-203AA (DO-4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS25F100M EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 78 A -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
BZT03D9V1-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D9V1-TR -
RFQ
ECAD 7518 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT03 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.04% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sod-57, axial BZT03 1.3 W Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 Ma 20 µA @ 6.8 V 9.1 V 4 ohmios
1N6484HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6484HE3/97 -
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N6484 Estándar DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1N6484HE3_A/I EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
SD103CWS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103CWS-E3-18 0.0577
RFQ
ECAD 2383 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 SD103 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 600 MV @ 200 Ma 10 ns 5 µA @ 10 V -55 ° C ~ 125 ° C 350 mm 50pf @ 0v, 1 MHz
VS-25CTQ035-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25CTQ035-M3 0.7984
RFQ
ECAD 6148 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 25CTQ035 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 30A 710 MV @ 30 A 1.75 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C56P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C56P-E3-18 0.1597
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzd27c Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27C56 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 43 V 56 V 60 ohmios
BZG05C43-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C43-HM3-08 0.4200
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 6.98% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05C43 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 33 V 43 V 50 ohmios
BZX584C3V9-V-G-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C3V9-VG-08 -
RFQ
ECAD 2759 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzx584c-vg Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Bzx584c 200 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
TZQ5243B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5243B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 7357 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 TZQ5243 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 500 na @ 9.9 V 13 V 13 ohmios
HFA210NJ60C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA210NJ60C -
RFQ
ECAD 1825 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB HFA210 Estándar TO-244AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 171a (DC) 1.5 V @ 105 A 140 ns 30 µA @ 600 V
SB550A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB550A-E3/54 0.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SB550 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZT52B33-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B33-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 4452 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT52 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 300 MW SOD-123 descascar 112-BZT52B33-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 25 V 33 V 80 ohmios
CSA2M-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division CSA2M-E3/I 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA CSA2 Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 2 a 2.1 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.6a 11PF @ 4V, 1MHz
AZ23B5V1-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B5V1-HE3-18 0.0534
RFQ
ECAD 7607 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B5V1 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 par Ánodo Común 100 na @ 800 MV 5.1 V 60 ohmios
VS-80-5598 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-5598 -
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre 80-5598 - 112-VS-80-5598 1
DZ23C2V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C2V7-E3-08 0.0415
RFQ
ECAD 4515 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos DZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 1 par Cátodo Común 2.7 V 83 ohmios
VS-80-7604 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7604 -
RFQ
ECAD 1297 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre 80-7604 - 112-VS-80-7604 1
VS-16CTQ060-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ060-M3 0.8123
RFQ
ECAD 5412 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 16CTQ060 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 8A 880 MV @ 16 A 550 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C
V12P10-E3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P10-E3/86A -
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN V12P10 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 700 MV @ 12 A 250 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 12A -
S2A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2A/54 -
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2A Estándar DO-214AA (SMB) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 750 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 V @ 1.5 A 2 µs 1 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 16PF @ 4V, 1MHz
LL4154-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4154-M-18 0.0305
RFQ
ECAD 8106 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 LL4154 Estándar Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 1 V @ 30 Ma 4 ns 100 na @ 25 V 175 ° C (Máximo) 300mA 4PF @ 0V, 1MHz
MMSZ5260C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5260C-HE3-18 0.0454
RFQ
ECAD 7309 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5260 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 33 V 43 V 93 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock