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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Byd33kgphe3/54 | - | ![]() | 7471 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BYD33 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBRS140TR | - | ![]() | 5405 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | MBRS1 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | MMSZ5227B-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 9757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5227 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBRB2080CTTRR | - | ![]() | 3424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Vit1080c-E3/4W | 0.5346 | ![]() | 5877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Vit1080 | Schottky | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 5A | 720 MV @ 5 A | 400 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
MMBZ4684-E3-08 | - | ![]() | 1813 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4684 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | ||||||||||||||
![]() | BZD17C24P-E3-18 | 0.1492 | ![]() | 5091 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17C24 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24 V | ||||||||||||
![]() | VLZ13B-GS18 | - | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ13 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 11.9 V | 12.88 V | 14 ohmios | |||||||||||
![]() | BZD27C24P-M3-18 | 0.1650 | ![]() | 7312 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C24 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5399GP-E3/54 | 0.3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5399 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.4 V @ 1.5 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
AZ23B30-HE3-08 | 0.0534 | ![]() | 9956 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B30 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 22.5 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||
![]() | Smaz5929b-e3/5a | 0.1150 | ![]() | 1185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5929 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||
![]() | VI30150C-M3/4W | 0.8630 | ![]() | 5622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | VI30150 | Schottky | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 15A | 1.36 v @ 15 a | 200 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-6FL40S02 | 5.5208 | ![]() | 8451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 6FL40 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 v @ 6 a | 200 ns | 50 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | |||||||||
![]() | SML4764HE3/5A | - | ![]() | 5820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4764 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-SD603C12S15C | 95.9950 | ![]() | 9099 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Apretar | DO-200AA, A-PUK | SD603 | Estándar | B-43, hockey puk | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.97 V @ 1885 A | 1.5 µs | 45 Ma @ 1200 V | 600A | - | ||||||||||
![]() | VS-12CWQ04FNTR-M3 | 0.9300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 12CWQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 6A | 680 MV @ 12 A | 3 Ma @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | BZD27C150P-M-08 | - | ![]() | 7408 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C150 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 110 V | 150 V | 300 ohmios | |||||||||||
![]() | BZT52B5V1-HE3-18 | 0.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B5V1 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 800 MV | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-1N3209R | - | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3209 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 15 A | 10 Ma @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||
![]() | VS-T70HF120 | 29.2020 | ![]() | 1617 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-55 T-Módulo | T70 | Estándar | D-55 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 15 Ma @ 200 V | 70a | - | ||||||||||||
![]() | Au1pdhm3/85a | 0.1914 | ![]() | 8137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Au1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.5 v @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 11PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
20TQ045 | - | ![]() | 5081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 20TQ045 | Schottky | TO20AC | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 20 A | 2.7 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SS14-6HE3_B/I | - | ![]() | 2376 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
GI504-E3/54 | 0.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | GI504 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 9.4 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MBRB10H50-E3/81 | - | ![]() | 9614 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB10 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 710 MV @ 10 A | 100 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | RGP10ME-E3/54 | 0.1754 | ![]() | 9650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
MMBZ4711-He3-08 | - | ![]() | 5628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4711 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 na @ 20.4 V | 27 V | ||||||||||||||
![]() | V10150CHM3/4W | - | ![]() | 3297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V10150 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 5A | 1.41 v @ 5 a | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 1N4148W-G3-08 | 0.2800 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | 1N4148 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - |
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