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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
DDZ9681-7 Diodes Incorporated DDZ9681-7 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 DDZ9681 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 2.4 V
DSS16-01A IXYS DSS16-01A 2.0000
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 DSS16 Schottky TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DSS1601A EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 15 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 16A -
SS22-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22-M3/5BT 0.1440
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS22 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -60 ° C ~ 125 ° C 2A -
CDBC2200LR-HF Comchip Technology CDBC2200LR-HF 0.2320
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC CDBC2200 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 850 MV @ 2 A 500 µA @ 200 V -50 ° C ~ 175 ° C 2A 30pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5258B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5258B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5258 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-MMSZ5258B_R1_00001DKR EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 27 V 36 V 70 ohmios
UFT800A Diotec Semiconductor UFT800A 0.7016
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Semiconductor diotec - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 2796-Uft800a 8541.10.0000 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 8 a 25 ns 5 µA @ 50 V -50 ° C ~ 150 ° C 8A -
JAN1N4105UR-1 Microchip Technology Jan1n4105ur-1 5.7000
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N4105 DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 8.5 V 11 V 200 ohmios
CZRA4743-HF Comchip Technology CZRA4743-HF 0.1550
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Flat Leads CZRA4743 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 9.9 V 13 V 10 ohmios
S4320TS Microchip Technology S4320TS 112.3200
RFQ
 ECAD 1719 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento Estándar DO-205AA (DO-8) - Alcanzar sin afectado 150-S4320TS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 200 a 50 µA @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
TZMC51-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC51-M-18 0.0324
RFQ
 ECAD 6041 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZM-M Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZMC51 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 39 V 51 V 125 ohmios
MBR2090CTLFAJ onsemi MBR2090CTLFAJ 0.7300
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
1N3335A Solid State Inc. 1N3335A 8.5000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - Caja Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 2383-1N3335A EAR99 8541.10.0080 10 1.5 V @ 10 A 5 µA @ 44.6 V 62 V 7 ohmios
JAN1N3026BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n3026bur-1/TR 11.4247
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N3026BUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
MZ4622RL onsemi MZ4622RL 0.0800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 5,000
3EZ150 Diotec Semiconductor 3EZ150 0.0995
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 3 W Do15/do204ac descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 2796-3EZ150TR 8541.10.0000 4.000 1 µA @ 75 V 150 V 100 ohmios
SK42L-TP Micro Commercial Co Sk42l-tp 0.4700
RFQ
 ECAD 4298 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk42 Schottky SMC (DO-214AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 4 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 4A -
MBR40045CTR GeneSiC Semiconductor MBR40045CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 6210 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR40045 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR40045CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 200a 650 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
B345AE-13 Diodes Incorporated B345AE-13 -
RFQ
 ECAD 2161 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA B345 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 500 MV @ 2 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 140pf @ 4V, 1MHz
20ETF08STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20etf08strl -
RFQ
 ECAD 2747 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 20etf08 Estándar To-263ab (d²pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.31 v @ 20 a 400 ns 100 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
D255K04BXPSA1 Infineon Technologies D255K04BXPSA1 -
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AA, DO-8, Semento D255K Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 20 Ma @ 400 V -40 ° C ~ 180 ° C 255a -
1N5337AE3/TR8 Microsemi Corporation 1N533777AE3/TR8 -
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5337 5 W T-18 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 5 µA @ 1 V 4.7 V 2 ohmios
R7002403XXUA Powerex Inc. R7002403XXUA -
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-200AA, A-PUK R7002403 Estándar DO-200AA, R62 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2400 V 2.15 V @ 1500 A 9 µs 50 Ma @ 2400 V -65 ° C ~ 200 ° C 300A -
SS2P3L-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3L-M3/84A 0.4900
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA SS2P3 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 2 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 130pf @ 4V, 1MHz
SE40NG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40NG-M3/I 0.5300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Monte de superficie, Flanco Humectable 2-vdfn Estándar DFN3820A descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 4 a 1.2 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 24pf @ 4V, 1 MHz
SS15L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS15L R3G -
RFQ
 ECAD 6964 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS15 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SSL34A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SSL34A 0.3800
RFQ
 ECAD 6916 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 450 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SMBJ5954A/TR13 Microchip Technology SMBJ5954A/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5954 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 121.6 V 160 V 700 ohmios
JAN1N6313DUS/TR Microchip Technology Jan1n6313dus/tr 49.0650
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-ENERO1N6313DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 3 µA @ 1 V 3.6 V 25 ohmios
CZRF52C9V1-HF Comchip Technology CZRF52C9V1-HF 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) CZRF52 350 MW 1005/sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
JAN1N4121D-1/TR Microchip Technology Jan1N4121D-1/TR 11.7838
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4121D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 25.1 V 33 V 200 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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