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Diodos (166326)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Real - Promedio Rectificado (IO)	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)
Rmb6sh	0.2739	RFQ	9872	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho)	RMB6	Estándar	MBS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	1 V @ 400 Ma	5 µA @ 600 V	500 mA	Fase única	600 V
SBS36	0.6996	RFQ	6190	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	SBS36	Estándar	Abdomenal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	500 MV @ 3 A	500 µA @ 60 V	3 A	Fase única	60 V
DBLS102GHRDG	-	RFQ	5109	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DBLS102	Estándar	DBLS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	1.1 v @ 1 a	2 µA @ 100 V	1 A	Fase única	100 V
ABS10A-13	0.4000	RFQ	101	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	ABS10	Estándar	4-SOPA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	5,000	1.1 v @ 1 a	5 µA @ 1000 V	1 A	Fase única	1 kV
DB102S	0.0936	RFQ	3584	Soluciones de Diodo SMC	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DB102	Estándar	DB-S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1.500	1.1 v @ 1 a	5 µA @ 100 V	1 A	Fase única	100 V
DB104S	0.0936	RFQ	7042	Soluciones de Diodo SMC	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DB104	Estándar	DB-S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1.500	1.1 v @ 1 a	5 µA @ 400 V	1 A	Fase única	400 V
Db156s	0.1098	RFQ	6389	Soluciones de Diodo SMC	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DB156	Estándar	DB-S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1.500	1.1 V @ 1.5 A	5 µA @ 800 V	1.5 A	Fase única	800 V
DB156	0.1098	RFQ	9397	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-edip (0.321 ", 8.15 mm)	DB156	Estándar	DB-M	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 1.5 A	5 µA @ 800 V	1.5 A	Fase única	800 V
FTB4F-15F	-	RFQ	1319	Soluciones de Diodo SMC	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	FTB4F-15	Estándar	Abf	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	1.3 V @ 1.5 A	5 µA @ 400 V	1.5 A	Fase única	400 V
GBU404	0.2920	RFQ	7502	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP	GBU404	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	20	1.1 v @ 4 a	5 µA @ 400 V	4 A	Fase única	400 V
Gbu402g	0.3175	RFQ	3356	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP	GBU402	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	20	1.1 v @ 4 a	5 µA @ 200 V	4 A	Fase única	200 V
GBU601	0.3403	RFQ	6290	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP	GBU601	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	20	1.1 v @ 6 a	5 µA @ 100 V	6 A	Fase única	100 V
GBU608	0.3305	RFQ	7592	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP	GBU608	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	20	1.1 v @ 6 a	5 µA @ 800 V	6 A	Fase única	800 V
GBPC3504W	2.8059	RFQ	2741	Soluciones de Diodo SMC	-	Cinta y Caja (TB)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-W	GBPC3504	Estándar	GBPC-W	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 17.5 A	5 µA @ 400 V	35 A	Fase única	400 V
Abdomen	0.3500	RFQ	35	Soluciones de Diodo SMC	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	Abdomen	Estándar	Abdomenal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	5,000	1.1 v @ 1 a	5 µA @ 600 V	1 A	Fase única	600 V
GBU1010	0.9600	RFQ	1	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP	GBU1010	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	20	1.1 v @ 10 a	5 µA @ 1000 V	10 A	Fase única	1 kV
Gbu406g	0.7400	RFQ	40	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP	GBU406	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	20	1.1 v @ 4 a	5 µA @ 600 V	4 A	Fase única	600 V
GBU410	0.6900	RFQ	971	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP	GBU410	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	20	1.1 v @ 4 a	5 µA @ 1000 V	4 A	Fase única	1 kV
GBPC2506	3.8100	RFQ	68	Soluciones de Diodo SMC	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC		Estándar	GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 600 V	25 A	Fase única	600 V
469-04	-	RFQ	6634	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado	469-04	Estándar	Maryland	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.35 V @ 15.7 A	2 µA @ 880 V	10 A	Fase única	800 V
483-01	478.0950	RFQ	2440	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Un mí	483-01	Estándar	Un mí	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.3 V @ 39 A	1 µA @ 200 V	25 A	Fase triple	200 V
678-6	401.7300	RFQ	7222	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Carolina del Norte	678-6	Estándar	Carolina del Norte	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	2266-678-6	EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 10 a	10 µA @ 600 V	25 A	Fase triple	600 V
679-3	391.7400	RFQ	4168	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado, NB	679-3	Estándar	Bien nótés	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 10 a	20 µA @ 300 V	25 A	Fase única	300 V
679-4	391.7400	RFQ	4698	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado, NB	679-4	Estándar	Bien nótés	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 10 a	20 µA @ 400 V	25 A	Fase única	400 V
680-3	216.7050	RFQ	2440	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrados, NA	680-3	Estándar	N / A	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 2 a	2 µA @ 300 V	10 A	Fase única	300 V
683-3	391.7400	RFQ	1671	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado, NB	683-3	Estándar	Bien nótés	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 5 a	10 µA @ 300 V	20 A	Fase única	300 V
683-5	391.7400	RFQ	7319	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado, NB	683-5	Estándar	Bien nótés	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 5 a	10 µA @ 500 V	20 A	Fase única	500 V
684-6	312.7800	RFQ	8762	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrados, NA	684-6	Estándar	N / A	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 2 a	5 µA @ 600 V	10 A	Fase única	600 V
695-6	452.7000	RFQ	6484	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Carolina del Norte	695-6	Estándar	Carolina del Norte	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 2 a	5 µA @ 600 V	15 A	Fase triple	600 V
696-3	452.7000	RFQ	8139	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Carolina del Norte	696-3	Estándar	Carolina del Norte	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	1.2 v @ 2 a	5 µA @ 300 V	15 A	Fase triple	300 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (166326)

2000+

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2800+

15,000 m2

15,000 m²