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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
JAN1N4960US Microchip Technology Jan1n4960us 8.8200
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N4960 5 W D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 10 µA @ 9.1 V 12 V 2.5 ohmios
JAN1N4966 Microchip Technology Jan1n4966 6.5550
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4966 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 16.7 V 22 V 5 ohmios
JAN1N4970 Microchip Technology Jan1N4970 5.8950
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4970 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 25.1 V 33 V 10 ohmios
JAN1N4982US Microchip Technology Jan1n4982us -
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 76 V 100 V 110 ohmios
JAN1N4986 Microchip Technology Jan1n4986 12.5550
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4986 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 114 V 150 V 330 ohmios
JAN1N4989 Microchip Technology Jan1n4989 11.5500
RFQ
 ECAD 8432 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4989 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 152 V 200 V 500 ohmios
G3SBA20L-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20L-M3/51 -
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU G3SBA20 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 250 1 v @ 2 a 5 µA @ 200 V 2.3 A Fase única 200 V
G3SBA60-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60-M3/45 0.8910
RFQ
 ECAD 5644 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU G3SBA60 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 1 v @ 2 a 5 µA @ 600 V 2.3 A Fase única 600 V
G5SBA80-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA80-M3/51 1.0096
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU G5SBA80 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 250 1.05 v @ 3 a 5 µA @ 800 V 2.8 A Fase única 800 V
GBU6A-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6A-M3/45 1.2844
RFQ
 ECAD 7028 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 1 v @ 6 a 5 µA @ 50 V 3.8 A Fase única 50 V
GBU8A-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8A-M3/51 1.1425
RFQ
 ECAD 5888 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 250 1 v @ 8 a 5 µA @ 50 V 3.9 A Fase única 50 V
Z4DGP410L-HF Comchip Technology Z4dgp410l-hf 1.4800
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Z4-d Z4DGP410 Estándar Z4-d descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 950 MV @ 4 A 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
APT40DS04HJ Microsemi Corporation Apt40ds04hj -
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Estándar Sot-227 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 580 MV @ 40 A 20 Ma @ 45 V 40 A Fase única 45 V
VJ448M Microsemi Corporation VJ448M -
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, VJ Estándar VJ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 1 A 5 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
APT60DF100HJ Microsemi Corporation Apt60df100hj -
RFQ
 ECAD 1749 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Estándar Sot-227 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 2.8 V @ 60 A 100 µA @ 1000 V 90 A Fase única 1 kV
MSD130-18 Microsemi Corporation MSD130-18 -
RFQ
 ECAD 9781 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis M3 Estándar descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 300 A 300 µA @ 1800 V 130 A Fase triple 1.8 kV
CDLL3035B Microchip Technology CDLL3035B 15.3000
RFQ
 ECAD 7983 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3035 1 W DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 32.7 V 43 V 70 ohmios
CDLL3039 Microchip Technology CDLL3039 15.3000
RFQ
 ECAD 7369 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 20% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3039 1 W DO-213AB - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
CDLL4103 Microchip Technology CDLL4103 3.5850
RFQ
 ECAD 3453 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL4103 500 MW DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7 V 9.1 V 200 ohmios
CDLL3046A-1 Microsemi Corporation CDLL3046A-1 -
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo CDLL3046 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
CDLL3049B-1 Microsemi Corporation CDLL3049B-1 -
RFQ
 ECAD 9605 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo CDLL3049 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
CDLL3019 Microchip Technology CDLL3019 14.7300
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 20% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3019 1 W DO-213AB - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 6.9 V 9.1 V 5 ohmios
CDLL4119 Microchip Technology CDLL4119 3.5850
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL4119 500 MW DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 21.3 V 28 V 200 ohmios
CDLL3051B-1 Microsemi Corporation CDLL3051B-1 -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo CDLL3051 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
CDLL3822 Microchip Technology CDLL3822 10.1250
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3822 1 W DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 75 µA @ 1 V 3.6 V 10 ohmios
DZ2727000L Panasonic Electronic Components DZ2727000L -
RFQ
 ECAD 8912 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% - Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano DZ27270 120 MW SSSMINI2-F4-B - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 50 na @ 21 V 27 V 120 ohmios
JANS1N4118UR-1 Microchip Technology Jans1n4118ur-1 48.9900
RFQ
 ECAD 1930 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 1N4118 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 20.5 V 27 V 150 ohmios
JANS1N4614-1 Microchip Technology Jans1n4614-1 67.7000
RFQ
 ECAD 456 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4614 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 3.5 µA @ 1 V 1.8 V 1200 ohmios
JANS1N6490US Microchip Technology Jans1n6490us -
RFQ
 ECAD 7647 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
JANTX1N965BUR-1 Microchip Technology Jantx1n965bur-1 3.7800
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 1N965 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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