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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jan1n4483d | 25.4550 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4483 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 44.8 V | 56 V | 70 ohmios | ||||||||
Jantx1n4484 | 5.4150 | ![]() | 7276 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4484 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 49.6 V | 62 V | 80 ohmios | ||||||||
Jan1n4485cus | 27.6750 | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4485 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 54.4 V | 68 V | 100 ohmios | ||||||||
Jan1n4486 | 8.1900 | ![]() | 2342 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4486 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 60 V | 75 V | 130 ohmios | ||||||||
![]() | Jantxv1n4489 | 12.8850 | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4489 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 80 V | 100 V | 250 ohmios | |||||||
Jantx1n4491dus | 49.5750 | ![]() | 7293 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4491 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 96 V | 120 V | 400 ohmios | ||||||||
Jantx1n4492dus | 49.5750 | ![]() | 6962 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4492 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 104 V | 130 V | 500 ohmios | ||||||||
![]() | Jan1n1614r | 66.0750 | ![]() | 9673 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/162 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1614 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.5 V @ 15 A | 50 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||||
Jan1n3017b-1 | - | ![]() | 4641 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||
![]() | Jantx1n3017cur-1 | 37.3500 | ![]() | 3338 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3017 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||
Jantx1n3017d-1 | 31.9500 | ![]() | 3182 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3017 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | ||||||||
Jantx1n3018d-1 | 31.9500 | ![]() | 2202 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3018 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||
Jantx1n3019d-1 | 31.9500 | ![]() | 4467 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3019 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||
![]() | Jantxv1n3020cur-1 | 46.1250 | ![]() | 2405 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3020 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | |||||||
![]() | Jantx1n3021bur-1 | 14.5800 | ![]() | 8963 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3021 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | |||||||
Jantxv1n3021d-1 | 38.0400 | ![]() | 3182 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3021 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||
Jan1N3023C-1 | 17.3250 | ![]() | 1706 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3023 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||
Jan1n3023d-1 | 21.6750 | ![]() | 9874 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3023 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||
Jan1n3025b-1 | - | ![]() | 7575 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||
![]() | CMSZ5254B TR PBFree | 0.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | CMSZ5254 | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | |||||||
![]() | CZ5348B TR PBFREE | 1.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | CZ5348 | 5 W | DO-2010 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5 ohmios | |||||||
![]() | CLL4729A TR | - | ![]() | 5056 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | Asignar | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | |||||||||
![]() | Cmdz16l tr pbfree | 0.5400 | ![]() | 304 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ16 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 14 V | 16 V | 80 ohmios | |||||||
![]() | Cmdz36l tr pbfree | 0.8100 | ![]() | 329 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ36 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 33 V | 36 V | 300 ohmios | |||||||
Jantxv1n6322 | 14.6700 | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6322 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 5 ohmios | ||||||||
Jantx1n6323cus | 46.3350 | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6323 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||
Jan1n6324 | 9.9000 | ![]() | 9792 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6324 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 V | 6 ohmios | ||||||||
Jantx1n6325us | 18.2700 | ![]() | 9376 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6325 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8.5 V | 11 V | 7 ohmios | ||||||||
Jantxv1n6325us | 28.8900 | ![]() | 7212 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6325 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8.5 V | 11 V | 7 ohmios | ||||||||
Jantxv1n6330dus | 74.4450 | ![]() | 5167 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6330 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 14 V | 18 V | 14 ohmios |
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