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Diodos (166326)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSASC150H45LX/TR | - |  | 2948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC150H45LX/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 600 MV @ 150 A | 10 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | ||||||||
| CDS5533B-1/TR | - | | 4030 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5533B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||
| 1N4996US/TR | 58.6500 | | 4575 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4996US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 297 V | 390 V | 1800 ohmios | |||||||||
 | 1N5537B/TR | 3.2700 | | 1829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5537B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 288 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | |||||||||
 | Jan1n633337dus/tr | 49.8450 | | 9732 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6337DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 27 V | 36 V | 50 ohmios | |||||||||
 | Jan1N758UR-1/TR | 4.4400 | | 7208 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N758UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 175 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 10 V | 17 ohmios | |||||||||
| CDLL5545D/TR | 16.3950 | | 3403 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5545D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27 V | 30 V | 100 ohmios | |||||||||
| 1N5522D/TR | 5.8650 | | 1536 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5522D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 161 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 V | 22 ohmios | |||||||||
| 1N456/TR | 3.5850 | | 8563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N456/TR | 264 | |||||||||||||||||||||
| 1N5531A/TR | 1.9950 | | 4502 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5531A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9 V | 11 V | ||||||||||
| 1N75555AE3/TR | 2.5200 | | 9344 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N75555AE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 374 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||
| 1N5525/TR | 1.9950 | | 9778 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5525/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 4.5 V | 6.2 V | ||||||||||
 | 1N4734AUR-1/TR | 3.6450 | | 6674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4734AUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 258 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||
| MSASC150W100LX/TR | - | | 3013 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC150W100LX/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 925 MV @ 150 A | 5 Ma @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | ||||||||
| 1N4565AE3/TR | 3.5850 | | 2134 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4565AE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||
| CDS5221D-1/TR | - | | 9688 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5221D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||
| Jantx1n5189/tr | 14.3400 | | 8016 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/424 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | B | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5189/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.5 v @ 9 a | 300 ns | 2 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||
| Jans1n6638/tr | 67.7102 | | 3124 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Polaridad Inversa Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6638/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.1 V @ 200 Ma | 4.5 ns | 500 na @ 125 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300mA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||
 | 1N3156E3/TR | 31.9350 | | 7059 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N3156 | 500 MW | Do-7 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3156E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | |||||||||
| 1N5537/TR | 1.9950 | | 3314 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5537/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14 V | 17 V | ||||||||||
| 1N5521A/TR | 1.9950 | | 6606 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5521A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | ||||||||||
| CDLL5222C/TR | 6.9150 | | 6730 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5222C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.5 V | 30 ohmios | |||||||||
| Jantx1n6323us/tr | 18.4350 | | 8904 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6323US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||
| CDLL5538C/TR | 12.3900 | | 8084 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5538C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||
| CDS5532B-1/TR | - | | 1671 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5532B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4955d | 25.0800 | | 8201 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4955D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | |||||||||
 | Jans1n4463cus | 283.8300 | | 3376 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4463cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 4.92 V | 8.2 V | 3 ohmios | |||||||||
| UZ7706HR2 | 647.4450 | | 9104 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7706HR2 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Ma @ 5.2 V | 6.8 V | 0.6 ohmios | ||||||||||
| 1N1403 | 38.3850 | | 3862 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N1403 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||
| S20470 | 33.4500 | | 5042 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S20470 | 1 |
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