SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
EGF1B-1HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1B-1HE3_B/H -
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214BA EGF1B Estándar DO-214BA (GF1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-EGF1B-1HE3_B/HTR EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
UJ3D06520KSD Qorvo UJ3D06520KSD 6.3100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Qorvo Gen-III Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 UJ3D06520 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2312-UJ3D06520KSD EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 10 A 0 ns 120 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 654pf @ 1v, 1 MHz
VS-73-4378 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-73-4378 -
RFQ
ECAD 5976 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - 112-VS-73-4378 Obsoleto 1
SK13 Diotec Semiconductor SK13 0.0512
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC, SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2796-SK13TR 8541.10.0000 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N3768R Solid State Inc. 1N3768R 2.5000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - Caja Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 2383-1N3768R EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.19 v @ 90 A 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 200 ° C 40A -
SCNA05F Semtech Corporation SCN05F -
RFQ
ECAD 7530 0.00000000 Corpacia semtech - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Módulo SCN05 - - descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) - 50 V 7.5a 1.1 v @ 3 a 150 ns 1 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURS2D-TP Micro Commercial Co Murs2d-tp 0.1049
RFQ
ECAD 5447 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Murs2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar 353-MURS2D-TP EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 920 MV @ 2 A 25 ns 2 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
SMAZ5920B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5920B-M3/5A 0.1073
RFQ
ECAD 8351 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz5920 500 MW DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 900 MV @ 10 Ma 200 µA @ 4 V 6.2 V 2 ohmios
SB2200-AP Micro Commercial Co SB2200-AP 0.0624
RFQ
ECAD 8405 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SB2200 Schottky Do-15 descascar 353-SB2200-AP EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 2 A 200 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 70pf @ 4V, 1MHz
BZT52C39S Yangjie Technology BZT52C39S 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 200 MW Sod-323 - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-BZT52C39STR EAR99 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
DD600S65K3NOSA1 Infineon Technologies DD600S65K3NOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD600S65 Estándar A-IHV130-6 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 6500 V - 3.5 V @ 600 A 900 A @ 3600 V -50 ° C ~ 125 ° C
RF302LAM2STFTR Rohm Semiconductor Rf302lam2stftr 0.7600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 RF302 Estándar Pmdtm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 920 MV @ 3 A 25 ns 10 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo) 3A -
BZT52C24Q Yangjie Technology BZT52C24Q 0.0270
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-BZT52C24QTR EAR99 3.000
UG3GB Yangjie Technology UG3GB 0.1430
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-UG3GBTR EAR99 3.000
M6 Yangjie Technology M6 0.0130
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar SMAE - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-M6TR EAR99 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BAW100 BK PBFREE Central Semiconductor Corp BAW100 BK PBFREE -
RFQ
ECAD 3217 0.00000000 Central de semiconductores - Una granela Obsoleto Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA Baw100 Estándar SOT-143 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1514-Baw100bkpbfree EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 75 V 250 mA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 6 ns 1 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C
ESH1PCHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PCHM3/85A 0.1681
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA ESH1 Estándar DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 25 ns 1 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1 MHz
D251N20BXPSA1 Infineon Technologies D251N20BXPSA1 -
RFQ
ECAD 4772 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AA, DO-8, Semento D251N Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2000 V 30 Ma @ 2000 V -40 ° C ~ 180 ° C 255a -
GSBAT54T Good-Ark Semiconductor Gsbat54t 0.2000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 Schottky SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
CDBD5200-HF Comchip Technology CDBD5200-HF -
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Schottky Dpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 641-CDBD5200-HFTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 920 MV @ 5 A 500 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
S1M-AQ-CT Diotec Semiconductor S1M-AQ-CT 0.1972
RFQ
ECAD 8826 0.00000000 Semiconductor diotec - Banda Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1M Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2721-S1M-AQ-CT 8541.10.0000 30 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µA @ 1 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBR10L100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR10L100CTH 0.6996
RFQ
ECAD 6139 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR10 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR10L100CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 850 MV @ 10 A 20 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SSL510 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SSL510 0.4500
RFQ
ECAD 7913 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 700 MV @ 5 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 680pf @ 4V, 1MHz
V10PWL45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pwl45hm3/i 0.3531
RFQ
ECAD 5284 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Schottky Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-V10PWL45HM3/ITR EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 520 MV @ 10 A 1.5 Ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C 10A 2190pf @ 4V, 1MHz
EAL1J Diotec Semiconductor EAL1J 0.0921
RFQ
ECAD 5166 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA Avalancha DO-213AA, Mini Masa descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2796-eal1jtr 8541.10.0000 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.8 V @ 1 A 75 ns 3 µA @ 600 V -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
JANTX1N3824CUR-1 Microchip Technology Jantx1n3824cur-1 40.6950
RFQ
ECAD 3823 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3824 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
CDS3021B-1 Microchip Technology CDS3021B-1 -
RFQ
ECAD 6689 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-CDS3021B-1 EAR99 8541.10.0050 50
DD600N16KXPSA1 Infineon Technologies DD600N16KXPSA1 310.0250
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo Estándar BG-PB60E2A-1 descascar ROHS3 Cumplante 448-DD600N16KXPSA1 EAR99 8541.30.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 600A 1.32 v @ 1.8 ka 40 mA @ 1.6 kV 150 ° C
1N6642UB2R/TR Microchip Technology 1N6642UB2R/TR 37.2400
RFQ
ECAD 5754 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - 100
US1J SMC Diode Solutions US1J 0.1200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Soluciones de Diodo SMC - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1 Estándar SMA (DO-214AC) - 1 (ilimitado) EAR99 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 45pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock