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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIGC25T60NCX1SA7 | - |  | 9389 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC25 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | 300V, 30A, 8.2ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 30 A | 90 A | 2.5V @ 15V, 30a | - | 21ns/110ns | ||||||||||||||||||
 | BSS123IXTMA1 | - | | 6535 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS123 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23-3-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 190MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 190ma, 10v | 1.8V @ 13 µA | 0.63 NC @ 10 V | ± 20V | 15 pf @ 50 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||
 | IKW50N65F5AXKSA1 | - | | 6525 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ikw50n | Estándar | 270 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | 77 ns | Zanja | 650 V | 80 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 490 µJ (Encendido), 140 µJ (apagado) | 108 NC | 21ns/156ns | ||||||||||||||
 | ISZ0702NLSATMA1 | 1.2900 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISZ0702N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 17A (TA), 86A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 26 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 65W (TC) | ||||||||||||||
 | Ihw30n90t | 2.6600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 428 W | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 30a, 15ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 900 V | 60 A | 90 A | 1.7V @ 15V, 30a | 1.8mj (apaguado) | 280 NC | 45ns/556ns | ||||||||||||||||
| SIPC69N65C3X1SA1 | - | | 7421 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Sipc69 | - | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | SP000437778 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP88L6327 | - | | 3665 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 240 V | 350MA (TA) | 2.8V, 10V | 6ohm @ 350mA, 10V | 1.4V @ 108 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 95 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||
 | IRF6706S2TRPBF | - | | 2887 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico S1 | Mosfet (Óxido de metal) | DirectFet ™ Isométrico S1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 25 V | 17A (TA), 63A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 17a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 20 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1810 pf @ 13 V | - | 1.8W (TA), 26W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRGR4607DTRRPBF | - | | 5809 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | 58 W | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001549726 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 4A, 100OHM, 15V | 48 ns | - | 600 V | 11 A | 12 A | 2.05V @ 15V, 4A | 140 µJ (Encendido), 62 µJ (apaguado) | 9 NC | 27ns/120ns | |||||||||||||||
 | BSP317PE6327T | - | | 9078 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP317 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 430 mA (TA) | 4.5V, 10V | 4ohm @ 430mA, 10V | 2V @ 370 µA | 15.1 NC @ 10 V | ± 20V | 262 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||
 | IPB100N04S2L-03ATMA2 | 2.0900 | | 17 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 80a, 10v | 2V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
| Auirfr5305tr | 2.8500 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr5305 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 55 V | 31a (TC) | 65mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | 1200 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||
| BSP299L6327 | - | | 9136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6610TRPBF | - | | 9902 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SQ | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sq | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 V | 15A (TA), 66A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1520 pf @ 10 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||
| Auirf540zs | - | | 2984 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirf540 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 25 V | - | 92W (TC) | ||||||||||||||
| Auirfr120z | - | | 9248 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 8.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 5.2a, 10v | 4V @ 25 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 310 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||
 | IPI80N04S4-03 | 1.0700 | | 350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 350 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 53 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 5260 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Auirfn8405tr | 1.4978 | | 3725 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Auirfn8405 | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 95A (TC) | 10V | 2mohm @ 50a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 117 NC @ 10 V | ± 20V | 5142 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||||||||
| BSC110N15NS5ATMA1 | 3.4500 | | 7904 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 150 V | 76a (TC) | 8V, 10V | 11mohm @ 38a, 10V | 4.6V @ 91 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2770 pf @ 75 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||
| IPD60R600C6BTMA1 | - | | 7904 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||
| FZ1500R33HL3BPSA3 | 1.0000 | | 35 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FZ1500R33HL3BPSA3-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R600E6 | 0.8100 | | 640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos e6 ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||
 | IPB45N06S4L08ATMA1 | - | | 7933 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB45N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 45a, 10v | 2.2V @ 35 µA | 64 NC @ 10 V | ± 16V | 4780 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | 2.4796 | | 6108 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R150 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 22.4a (TC) | 10V | 150mohm @ 9.3a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 195.3W (TC) | ||||||||||||||
 | IRFH5306TR2PBF | - | | 3012 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Pqfn (5x6) muere individual | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 30 V | 15A (TA), 44A (TC) | 8.1mohm @ 15a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 12 NC @ 4.5 V | 1125 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||
| IPB042N10NF2SATMA1 | - | | 5444 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS50R12W1T7PB11BPSA1 | 66.5100 | | 6375 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DF80R07W1H5FPB50BPSA1 | 39.4100 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPA083N10NM5SXKSA1 | 1.9300 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA083 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220 Paqueto completo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 50A (TC) | 6V, 10V | 8.3mohm @ 25A, 10V | 3.8V @ 49 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 50 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||
| IPI22N03S4L-15 | 0.2400 | | 3307 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 897 | N-canal | 30 V | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 22a, 10v | 2.2V @ 10 µA | 14 NC @ 10 V | ± 16V | 980 pf @ 25 V | - | 31W (TC) |
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