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Transistores (3861)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
Stv270n4f3	5.7400	RFQ	7905	Stmicroelectronics	Stripfet ™ III	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta	STV270			Mosfet (Óxido de metal)			10 pozo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	600		N-canal						40 V	270a (TC)	10V	1.5mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	7500 pf @ 25 V	-	300W (TC)
STH110N10F7-6	-	RFQ	5678	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	STH110			Mosfet (Óxido de metal)			H2PAK-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						100 V	110A (TC)	10V	6.5mohm @ 55a, 10V	4.5V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	5117 pf @ 50 V	-	150W (TC)
STB60NH02LT4	-	RFQ	2019	Stmicroelectronics	Stripfet ™ III	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb60n			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						24 V	60A (TC)	5V, 10V	10.5mohm @ 30a, 10v	2.5V @ 250 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 15 V	-	70W (TC)
STW20N65M5	-	RFQ	5167	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw20n			Mosfet (Óxido de metal)			TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal						650 V	18a (TC)	10V	190mohm @ 9a, 10v	5V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 25V	1345 pf @ 100 V	-	130W (TC)
STF33N60M2	4.6400	RFQ	6158	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ ii plus	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF33			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	26a (TC)	10V	125mohm @ 13a, 10v	4V @ 250 µA	45.5 NC @ 10 V	± 25V	1781 pf @ 100 V	-	35W (TC)
STP100N8F6	1.6100	RFQ	41	Stmicroelectronics	Stripfet ™ f6	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP100			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-15553-5	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						80 V	100A (TC)	10V	9mohm @ 50A, 10V	4V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	5955 pf @ 25 V	-	176W (TC)
Stgi25n36lzag	1.1903	RFQ	3260	Stmicroelectronics	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Stgi25	Lógica			150 W		I2pak (TO-262)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	497-stgi25n36lzag	EAR99	8541.29.0095	1,000				-																-	350 V	25 A	50 A	1.25V @ 4V, 6A	-	25.7 NC	1.1 µs/7.4 µs
2STW1695	-	RFQ	6519	Stmicroelectronics	-	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	2STW				100 W		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30																					140 V	10 A							100NA (ICBO)			PNP	700mv @ 700 Ma, 7a	70 @ 3a, 4v	20MHz
STP80NF70	2.3400	RFQ	991	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP80			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						68 V	98a (TC)	10V	9.8mohm @ 40a, 10v	4V @ 250 µA	75 NC @ 10 V	± 20V	2550 pf @ 25 V	-	190W (TC)
Stp3n80k5	1.5700	RFQ	847	Stmicroelectronics	Supermesh5 ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP3N80			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						800 V	2.5A (TC)	10V	3.5ohm @ 1a, 10v	5V @ 100 µA	9.5 NC @ 10 V	± 30V	130 pf @ 100 V	-	60W (TC)
STP60NE06L-16	-	RFQ	8465	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tubo	Obsoleto		175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp60n			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						60 V	60A (TC)	5V, 10V	14mohm @ 30a, 10v	2.5V @ 250 µA	70 NC @ 5 V	± 15V	4150 pf @ 25 V	-	150W (TC)
STGP6NC60HD	1.4200	RFQ	2143	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STGP6	Estándar			56 W		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-5122-5	EAR99	8541.29.0095	50				390v, 3a, 10ohm, 15V															21 ns	-	600 V	15 A	21 A	2.5V @ 15V, 3a	20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado)	13.6 NC	12ns/76ns
Stk30n2llh5	-	RFQ	2526	Stmicroelectronics	Stripfet ™ V	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Polarpak®	Stk30			Mosfet (Óxido de metal)			Polarpak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						25 V	30A (TC)	4.5V, 10V	2.9mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	18 NC @ 4.5 V	± 20V	2290 pf @ 25 V	-	5.2W (TC)
Stgb30nc60kt4	5.2900	RFQ	2	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stgb30	Estándar			185 W		D2pak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000				480v, 20a, 10ohm, 15V																-	600 V	60 A	125 A	2.7V @ 15V, 20a	350 µJ (Encendido), 435 µJ (apagado)	96 NC	29ns/120ns
STB11NM60N-1	-	RFQ	4330	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Stb11n			Mosfet (Óxido de metal)			I2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	10a (TC)	10V	450mohm @ 5a, 10v	4V @ 250 µA	31 NC @ 10 V	± 25V	850 pf @ 50 V	-	90W (TC)
Stgb20v60df	-	RFQ	8911	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stgb20	Estándar			167 W		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000				400V, 20A, 15V															40 ns	Parada de Campo de Trinchera	600 V	40 A	80 A	2.2V @ 15V, 20a	200 µJ (ON), 130 µJ (OFF)	116 NC	38ns/149ns
STF15N60M2-EP	1.9000	RFQ	1	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ M2-EP	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF15			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	11a (TC)	10V	378mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 25V	590 pf @ 100 V	-	25W (TC)
STGY50NC60WD	16.9700	RFQ	1459	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stgy50	Estándar			278 W		Max247 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				390v, 40a, 10ohm, 15V															55 ns	-	600 V	110 A	180 A	2.6V @ 15V, 40A	365 µJ (Encendido), 560 µJ (apagado)	195 NC	52ns/240ns
STB9NK80Z	2.4000	RFQ	5734	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, Supermesh ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STB9			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						800 V	5.2a (TC)	10V	1.8ohm @ 2.6a, 10v	4.5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1138 pf @ 25 V	-	125W (TC)
STI300N4F6	-	RFQ	2332	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	STI300			Mosfet (Óxido de metal)			I2pak (TO-262)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						40 V	160A (TC)	10V	2.2mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	13800 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Stb18nm60n	-	RFQ	3908	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb18n			Mosfet (Óxido de metal)			D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						600 V	13a (TC)	10V	285mohm @ 6.5a, 10V	4V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 25V	1000 pf @ 50 V	-	110W (TC)
Stwa68n65dm6ag	7.9990	RFQ	9113	Stmicroelectronics	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stwa68			Mosfet (Óxido de metal)			TO-247 LARGOS LARGOS	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	497-stwa68n65dm6ag	EAR99	8541.29.0095	600		N-canal						650 V	72a (TC)	10V	39mohm @ 36a, 10v	4.75V @ 250 µA	118 NC @ 10 V	± 25V	5900 pf @ 100 V	-	480W (TC)
SCT30N120D2	-	RFQ	7067	Stmicroelectronics	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	SCT30			Sicfet (CARBURO DE SILICIO)			Hip247 ™	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	490		N-canal						1200 V	40A (TC)	20V	100mohm @ 20a, 20V	3.5V @ 1MA	105 NC @ 20 V	+25V, -10V	1700 pf @ 400 V	-	270W (TC)
Stac2943	109.0400	RFQ	37	Stmicroelectronics	-	Caja	Obsoleto	130 V			Stac177b	Stac294		30MHz	Mosfet			Stac177b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25	N-canal		40A		250 Ma	350W	25db											-										50 V
STP50NF25	2.8900	RFQ	396	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP50			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						250 V	45a (TC)	10V	69mohm @ 22a, 10v	4V @ 250 µA	68.2 NC @ 10 V	± 20V	2670 pf @ 25 V	-	160W (TC)
A1P50S65M2-F	45.9683	RFQ	2395	Stmicroelectronics	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	A1P50				208 W	Estándar	ACEPACK ™ 1	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	36	Inversor trifásico																			Parada de Campo de Trinchera	650 V	50 A		2.3V @ 15V, 50A					100 µA	Si	4.15 NF @ 25 V
Stgya120m65df2	15.4700	RFQ	600	Stmicroelectronics	METRO	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To47-3 almohadilla exposición	Stgya120	Estándar			625 W		Max247 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-16976	EAR99	8541.29.0095	30				400V, 120a, 4.7ohm, 15V															202 ns	NPT, Parada de Campo de Trinchegras	650 V	160 A	360 A	1.95V @ 15V, 120a	1.8mj (Encendido), 4.41MJ (apaguado)	420 NC	66ns/185ns
STF6N52K3	1.7400	RFQ	979	Stmicroelectronics	SUPMESH3 ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Stf6n			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						525 V	5A (TC)	10V	1.2ohm @ 2.5a, 10V	4.5V @ 50 µA	26 NC @ 10 V	± 30V	670 pf @ 50 V	-	25W (TC)
Stn4nf20l	0.7500	RFQ	3	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Stn4nf20			Mosfet (Óxido de metal)			SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						200 V	1A (TC)	5V, 10V	1.5ohm @ 500 mA, 10V	3V @ 250 µA	0.9 NC @ 10 V	± 20V	150 pf @ 25 V	-	3.3W (TC)
Stp23nm50n	5.2500	RFQ	8505	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP23			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						500 V	17a (TC)	10V	190mohm @ 8.5a, 10v	4V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 25V	1330 pf @ 50 V	-	125W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²