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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STB40NS15T4 STMicroelectronics STB40NS15T4 -
RFQ
 ECAD 7198 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb40n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 40A (TC) 10V 52mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2420 pf @ 25 V - 300W (TC)
2STA1837 STMicroelectronics 2STA1837 -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2sta 20 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10864-5 EAR99 8541.29.0075 50 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
PD20010STR-E STMicroelectronics PD20010Str-E -
RFQ
 ECAD 5683 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 40 V PowerSo-10RF Padera Inferior Expuesta (2 cables rectos) PD20010 2GHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 5A 150 Ma 10W 11db - 13.6 V
BD682 STMicroelectronics BD682 0.9000
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD682 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 4 A 500 µA PNP - Darlington 2.5V @ 30mA, 1.5a 750 @ 1.5a, 3V -
STL40N75LF3 STMicroelectronics Stl40n75lf3 1.8100
RFQ
 ECAD 1812 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl40 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 40A (TC) 5V, 10V 19mohm @ 20a, 10v 1V @ 250 µA 12 NC @ 5 V +20V, -16V 1300 pf @ 25 V - 75W (TC)
STD11N65M5 STMicroelectronics Std11n65m5 1.9500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std11 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 620 pf @ 100 V - 85W (TC)
STS1HNK60 STMicroelectronics Sts1hnk60 -
RFQ
 ECAD 1526 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts1 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 300 mA (TC) 10V 8.5ohm @ 500 mA, 10V 3.7V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 156 pf @ 25 V - 2W (TC)
STP7NB60 STMicroelectronics STP7NB60 -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2761-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1625 pf @ 25 V - 125W (TC)
2STF2550 STMicroelectronics 2STF2550 0.5300
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2STF2550 1.4 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 50 V 5 A 100NA (ICBO) PNP 550mv @ 300mA, 3A 110 @ 2a, 2v -
STP80NF55-06FP STMicroelectronics STP80NF55-06FP -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp80n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 60A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 189 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 45W (TC)
BD678A STMicroelectronics Bd678a -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD678 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 4 A 500 µA PNP - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
STQ1NC45R-AP STMicroelectronics STQ1NC45R-AP 0.6200
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Cinta de Corte (CT) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STQ1NC45 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 450 V 500 mA (TC) 10V 4.5ohm @ 500 mA, 10V 3.7V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 30V 160 pf @ 25 V - 3.1W (TC)
STP180N55F3 STMicroelectronics STP180N55F3 -
RFQ
 ECAD 4572 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP180 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 120a (TC) 10V 3.8mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 25 V - 330W (TC)
STGP30H65F STMicroelectronics STGP30H65F 3.1200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp30 Estándar 260 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 60 A 120 A 2.4V @ 15V, 30a 350 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado) 105 NC 50ns/160ns
STGB7NB60KDT4 STMicroelectronics Stgb7nb60kdt4 -
RFQ
 ECAD 5161 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb7 Estándar 80 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 7a, 10ohm, 15V 50 ns - 600 V 14 A 56 A 2.8V @ 15V, 7a 140 µJ (apaguado) 32.7 NC 15ns/50ns
STGB5H60DF STMicroelectronics Stgb5h60df 1.4300
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb5 Estándar 88 W D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 5A, 47OHM, 15V 134.5 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 10 A 20 A 1.95V @ 15V, 5A 56 µJ (Encendido), 78.5 µJ (apaguado) 43 NC 30ns/140ns
STGP15M65DF2 STMicroelectronics STGP15M65DF2 2.3600
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STGP15 Estándar 136 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 15a, 12ohm, 15V 142 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 30 A 60 A 2V @ 15V, 15a 90 µJ (Encendido), 450 µJ (apaguado) 45 NC 24ns/93ns
STSA1805 STMicroelectronics STSA1805 -
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) STSA1805 1.1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 200MA, 5A 200 @ 100 mapa, 2v 150MHz
STI18N60M2 STMicroelectronics STI18N60M2 -
RFQ
 ECAD 8374 0.00000000 Stmicroelectronics * Tubo Obsoleto Sti18n - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50
BD437 STMicroelectronics BD437 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD437 36 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 45 V 4 A 100 µA NPN 600mv @ 200Ma, 2a 30 @ 10mA, 5V 3MHz
STL60N10F7 STMicroelectronics Stl60n10f7 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl60 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 46a (TC) 10V 18mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V 20V 1640 pf @ 50 V - 5W (TA), 72W (TC)
E-ULQ2003A STMicroelectronics E-ulq2003a -
RFQ
 ECAD 2880 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) - ULQ2003 - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 50V 500mA - 7 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
STGP20M65DF2 STMicroelectronics STGP20M65DF2 2.7400
RFQ
 ECAD 1116 0.00000000 Stmicroelectronics METRO Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STGP20 Estándar 166 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20a, 12ohm, 15V 166 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20a 140 µJ (Encendido), 560 µJ (apagado) 63 NC 26ns/108ns
STF40N65M2 STMicroelectronics STF40N65M2 -
RFQ
 ECAD 7039 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF40 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 32A (TC) 10V 99mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 56.5 NC @ 10 V ± 25V 2355 pf @ 100 V - 25W (TC)
STF3NK80Z STMicroelectronics STF3NK80Z 2.3000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF3NK80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4342-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 2.5A (TC) 10V 4.5ohm @ 1.25a, ​​10V 4.5V @ 50 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 485 pf @ 25 V - 25W (TC)
STB19NM65N STMicroelectronics Stb19nm65n 5.8300
RFQ
 ECAD 776 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb19n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 15.5a (TC) 10V 270mohm @ 7.75a, 10v 4V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 25V 1900 pf @ 50 V - 150W (TC)
STB50NE10T4 STMicroelectronics STB50NE10T4 -
RFQ
 ECAD 8373 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb50n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 50A (TC) 10V 27mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 166 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 180W (TC)
2N3772 STMicroelectronics 2N3772 -
RFQ
 ECAD 3016 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto - Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 2N37 150 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 60 V 20 A 10 Ma NPN 4V @ 4a, 20a 15 @ 10a, 4V 200 kHz
STW70N60DM2 STMicroelectronics Stw70n60dm2 11.7600
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw70 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16345-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 66a (TC) 10V 42mohm @ 33a, 10v 5V @ 250 µA 121 NC @ 10 V ± 25V 5508 pf @ 100 V - 446W (TC)
STH160N4LF6-2 STMicroelectronics STH160N4LF6-2 1.5700
RFQ
 ECAD 642 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH160 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 5V, 10V 2.2mohm @ 60a, 10v 1V @ 250 µA (min) 181 NC @ 10 V ± 20V 8130 pf @ 20 V - 150W (TC)
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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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