SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STL42N65M5 STMicroelectronics Stl42n65m5 13.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl42 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 4A (TA), 34A (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10v 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 25V 4650 pf @ 100 V - 3W (TA), 208W (TC)
2STW1693 STMicroelectronics 2STW1693 -
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 2STW 60 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 80 V 6 A 100NA (ICBO) PNP 1.5V @ 600mA, 6a 50 @ 2a, 4v 20MHz
STFI16N65M2 STMicroelectronics Stfi16n65m2 -
RFQ
 ECAD 6298 0.00000000 Stmicroelectronics * Tubo Activo Stfi16 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.500
STW21NM50N STMicroelectronics Stw21nm50n -
RFQ
 ECAD 8794 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw21n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4806-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 18a (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 25 V - 140W (TC)
STGB18N40LZT4 STMicroelectronics Stgb18n40lzt4 2.6800
RFQ
 ECAD 282 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STGB18 Lógica 150 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 300V, 10a, 5V - 420 V 30 A 40 A 1.7V @ 4.5V, 10a - 29 NC 650ns/13.5 µs
STP80PF55 STMicroelectronics STP80PF55 -
RFQ
 ECAD 2782 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp80p Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 80a (TC) 10V 18mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 258 NC @ 10 V ± 16V 5500 pf @ 25 V - 300W (TC)
ULN2068B STMicroelectronics ULN2068B 6.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 16-PowerDip (0.300 ", 7.62 mm) ULN2068 1W 16-PowerDip (20x7.10) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 50V 1.75a - 4 NPN Darlington (Quad) 1.4V @ 2mA, 1.25a - -
STP6NK50Z STMicroelectronics STP6NK50Z -
RFQ
 ECAD 3107 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp6n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4385-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5.6a (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10v 4.5V @ 50 µA 24.6 NC @ 10 V ± 30V 690 pf @ 25 V - 90W (TC)
STD1NK60T4 STMicroelectronics Std1nk60t4 1.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std1 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 1A (TC) 10V 8.5ohm @ 500 mA, 10V 3.7V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 156 pf @ 25 V - 30W (TC)
ULQ2801A STMicroelectronics ULQ2801A 3.0300
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) ULQ2801 2.25W 18 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 50V 500mA - 8 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
STP4NB100 STMicroelectronics STP4NB100 -
RFQ
 ECAD 8647 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp4n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2647-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1000 V 3.8a (TC) 10V 4.4ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 125W (TC)
STD95NH02LT4 STMicroelectronics Std95nh02lt4 1.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std95 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 24 V 80a (TC) 5V, 10V 5mohm @ 40a, 10v 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 2070 pf @ 15 V - 100W (TC)
STF10N95K5 STMicroelectronics STF10N95K5 3.2900
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 8a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10v 5V @ 100 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 630 pf @ 100 V - 30W (TC)
STX117-AP STMicroelectronics STX117-AP -
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Stx117 1.2 W TO-92AP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 100 V 2 A 2mera PNP 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V -
STP16NS25FP STMicroelectronics STP16NS25FP -
RFQ
 ECAD 5000 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp16n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 16a (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 83 NC @ 10 V ± 20V 1270 pf @ 25 V - 40W (TC)
ST13007 STMicroelectronics ST13007 -
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 ST13007 80 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8 A 10 µA NPN 3V @ 2a, 8a 5 @ 5a, 5v -
MMBTA92 STMicroelectronics Mmbta92 -
RFQ
 ECAD 4042 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
STGW40H120DF2 STMicroelectronics STGW40H120DF2 11.2900
RFQ
 ECAD 6836 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW40 Estándar 468 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-14715-5 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 488 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 80 A 160 A 2.6V @ 15V, 40A 1MJ (Encendido), 1.32MJ (apaguado) 187 NC 18ns/152ns
PN2907A STMicroelectronics PN2907A -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2907 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2.500 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
STB16N65M5 STMicroelectronics STB16N65M5 -
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb16n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 299mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1250 pf @ 100 V - 90W (TC)
STWA67N60M6 STMicroelectronics Stwa67n60m6 9.2000
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa67 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STWA67N60M6 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 52a (TC) 10V 49mohm @ 26a, 10v 4.75V @ 250 µA 72.5 NC @ 10 V ± 25V 3400 pf @ 100 V - 330W (TC)
STF16N60M2 STMicroelectronics STF16N60M2 2.0400
RFQ
 ECAD 216 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF16 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16013-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 25V 700 pf @ 100 V - 25W (TC)
STW25N60M2-EP STMicroelectronics STW25N60M2-EP 3.5300
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw25 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 188mohm @ 9a, 10v 4.75V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1090 pf @ 100 V - 150W (TC)
STB13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2 2.3400
RFQ
 ECAD 8212 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB13 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 580 pf @ 100 V - 110W (TC)
PD55025S-E STMicroelectronics PD55025S-E 29.6600
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55025 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 7A 200 MA 25W 14.5dB - 12.5 V
STP4NK80ZFP STMicroelectronics STP4NK80ZFP 2.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STP4NK80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 3.5ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50 µA 22.5 NC @ 10 V ± 30V 575 pf @ 25 V - 25W (TC)
STPSA92 STMicroelectronics STPSA92 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) STPSA92 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 300 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
IRF640 STMicroelectronics IRF640 -
RFQ
 ECAD 7329 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 18a (TC) 10V 180mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1560 pf @ 25 V - 125W (TC)
BU508AF STMicroelectronics BU508AF 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Bu508 50 W Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8748-5 EAR99 8541.29.0095 30 700 V 8 A 200 µA NPN 1V @ 1.6a, 4.5a 10 @ 100 maja, 5v -
STH140N6F7-6 STMicroelectronics STH140N6F7-6 -
RFQ
 ECAD 3453 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH140 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 3.2mohm @ 40a, 10V 4V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 158W (TC)
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    2000+

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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