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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
ST13003N STMicroelectronics ST13003N 2.9200
RFQ
 ECAD 352 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 ST13003 20 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400 V 1 A 1mera NPN 1.2V @ 330 mm, 1a 5 @ 1a, 10v -
STL12N60M2 STMicroelectronics Stl12n60m2 1.8100
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl12 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 6.5a (TC) 10V 495mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 538 pf @ 100 V - 52W (TC)
TIP147T STMicroelectronics TIP147T 1.9700
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP147 90 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 10 A 2mera PNP - Darlington 3V @ 40 mm, 10a 1000 @ 5a, 4V -
2N5415 STMicroelectronics 2N5415 -
RFQ
 ECAD 1792 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N54 1 W To-39 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 200 V 1 A 50 µA PNP 2.5V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V 15MHz
2STR2160 STMicroelectronics 2str2160 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2str2160 500 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 480mv @ 100 mm, 1a 180 @ 500mA, 2V -
STH180N10F3-2 STMicroelectronics STH180N10F3-2 5.5400
RFQ
 ECAD 7922 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH180 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 4.5mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 114.6 NC @ 10 V ± 20V 6665 pf @ 25 V - 315W (TC)
2N720A STMicroelectronics 2N720A -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N72 500 MW Un 18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 80 V 500 mA 10NA (ICBO) NPN 5V @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V -
ULQ2802A STMicroelectronics ULQ2802A 3.0300
RFQ
 ECAD 7211 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) ULQ2802 2.25W 18 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 50V 500mA - 8 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
STGB7NC60HT4 STMicroelectronics Stgb7nc60ht4 -
RFQ
 ECAD 1468 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb7 Estándar 80 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 7a, 10ohm, 15V 37 ns - 600 V 25 A 50 A 2.5V @ 15V, 7a - 35 NC 18.5NS/72NS
TIP41C STMicroelectronics TIP41C 0.8200
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP41 65 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V -
MJE172 STMicroelectronics MJE172 -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 MJE172 12.5 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 1.7V @ 600mA, 3A 50 @ 100 mapa, 1v 50MHz
ULN2803A STMicroelectronics ULN2803A 2.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) ULN2803 2.25W 18 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 50V 500mA - 8 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
STP21NM60ND STMicroelectronics Stp21nm60nd -
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp21n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 220mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 140W (TC)
STGDL6NC60DT4 STMicroelectronics Stgdl6nc60dt4 1.5800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgdl6 Estándar 50 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390v, 3a, 10ohm, 15V 30 ns - 600 V 13 A 25 A 2.9V @ 15V, 3a 46.5 µJ (Encendido), 23.5 µJ (apagado) 12 NC 6.7ns/46ns
STW3040 STMicroelectronics STW3040 -
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw304 160 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400 V 30 A 1mera NPN 800mv @ 4a, 20a 18 @ 6a, 5v -
BUL89 STMicroelectronics Bul89 3.1000
RFQ
 ECAD 523 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Bul89 110 W Un 220 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 12 A 100 µA NPN 5V @ 2.4a, 12a 10 @ 5a, 5v -
MJD47T4 STMicroelectronics Mjd47t4 0.9500
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD47 15 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 250 V 1 A 100 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
STW28NK60Z STMicroelectronics Stw28nk60z -
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw28n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4424-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 27a (TC) 10V 185mohm @ 13.5a, 10v 4.5V @ 150 µA 264 NC @ 10 V ± 30V 6350 pf @ 25 V - 350W (TC)
STW12NK90Z STMicroelectronics Stw12nk90z 6.2600
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw12 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4421-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 11a (TC) 10V 880mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 152 NC @ 10 V ± 30V 3500 pf @ 25 V - 230W (TC)
2N1711 STMicroelectronics 2N1711 -
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2n17 800 MW To-39 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500 50 V 500 mA 10NA (ICBO) NPN 1.5V @ 15 Ma, 150 Ma 35 @ 100 mapa, 10v 100MHz
LET20030C STMicroelectronics Let20030c 80.6000
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Stmicroelectronics - Caja Obsoleto 80 V M243 Let20030 2GHz Ldmos M243 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 9A 400 mA 45W 13.9dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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