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Transistores (3861)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
Stp8nm60nd	-	RFQ	9228	Stmicroelectronics	FDMESH ™ II	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp8n		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		600 V	7a (TC)	10V	700mohm @ 3.5a, 10V	5V @ 250 µA	22 NC @ 10 V	± 30V	560 pf @ 50 V	-	70W (TC)
SCT20N120H	16.5900	RFQ	5115	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SCT20		Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		H2PAK-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		1200 V	20A (TC)	20V	290mohm @ 10a, 20V	3.5V @ 1MA	45 NC @ 20 V	+25V, -10V	650 pf @ 400 V	-	175W (TC)
Stw7n95k3	6.7000	RFQ	600	Stmicroelectronics	SUPMESH3 ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw7n95		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		950 V	7.2a (TC)	10V	1.35ohm @ 3.6a, 10v	5V @ 100 µA	34 NC @ 10 V	± 30V	1031 pf @ 100 V	-	150W (TC)
Sts6nf20v	0.8300	RFQ	14	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sts6nf20		Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		20 V	6a (TC)	1.95V, 4.5V	40mohm @ 3a, 4.5V	600mV @ 250 µA (min)	11.5 NC @ 4.5 V	± 12V	460 pf @ 15 V	-	2.5W (TC)
STL100N12F7	-	RFQ	2376	Stmicroelectronics	Stripfet ™ f7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl100		Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x6)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		120 V	100A (TC)	10V	7.5mohm @ 9a, 10v	4.5V @ 250 µA	46 NC @ 10 V	± 20V	3300 pf @ 60 V	-	136W (TC)
Std75n3llh6	-	RFQ	9004	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std75n		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		30 V	75A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 37.5a, 10V	2.5V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1690 pf @ 25 V	-	60W (TC)
Stw40n60m2	8.7300	RFQ	600	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ ii plus	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw40		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		600 V	34a (TC)	10V	88mohm @ 17a, 10v	4V @ 250 µA	57 NC @ 10 V	± 25V	2500 pf @ 100 V	-	250W (TC)
Std134n4f7ag	2.0800	RFQ	2058	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, StripFet ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std134		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		40 V	80a (TC)	10V	3.5mohm @ 40a, 10V	4V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	2790 pf @ 25 V	-	134W (TC)
STF80N10F7	-	RFQ	4000	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Stf80n		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		100 V	40A (TC)	10V	10mohm @ 40a, 10v	4.5V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	3100 pf @ 50 V	-	30W (TC)
STD2NK60Z-1	1.0400	RFQ	3	Stmicroelectronics	Supermesh ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Std2n		Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal		600 V	1.4a (TC)	10V	8ohm @ 700 mA, 10V	4.5V @ 50 µA	10 NC @ 10 V	± 30V	170 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Stb46nf30	4.4900	RFQ	995	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STB46		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		300 V	42a (TC)	10V	75mohm @ 17a, 10v	4V @ 250 µA	90 NC @ 10 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Stw13nk50z	-	RFQ	9624	Stmicroelectronics	Supermesh ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw13n		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		500 V	11a (TC)	10V	480mohm @ 6.5a, 10v	4.5V @ 100 µA	47 NC @ 10 V	± 30V	1600 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Stw55nm60nd	-	RFQ	2159	Stmicroelectronics	FDMESH ™ II	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw55n		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-7036-5	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		600 V	51a (TC)	10V	60mohm @ 25.5a, 10V	5V @ 250 µA	190 NC @ 10 V	± 25V	5800 pf @ 50 V	-	350W (TC)
Sts11n3llh5	-	RFQ	7457	Stmicroelectronics	Stripfet ™ V	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sts11		Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		30 V	11a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 5.5a, 10V	1V @ 250 µA	5 NC @ 4.5 V	+22V, -20V	724 pf @ 25 V	-	2.7W (TC)
Stl24n60m6	1.7879	RFQ	3917	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m6	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl24		Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (8x8) HV	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		600 V	15A (TC)	10V	209mohm @ 8.5a, 10V	4.75V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 25V	960 pf @ 100 V	-	109W (TC)
STW20N90K5	7.3600	RFQ	582	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	STW20		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-17089	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		900 V	20A (TC)	10V	250mohm @ 10a, 10v	5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1500 pf @ 100 V	-	250W (TC)
STGF30NC60S	-	RFQ	3332	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Stgf30	Estándar		40 W	Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			480v, 20a, 10ohm, 15V												-	600 V	22 A	150 A	1.9V @ 15V, 20a	300 µJ (Encendido), 1.28MJ (apaguado)	96 NC	21.5ns/180ns
Stu3n45k3	0.3913	RFQ	8923	Stmicroelectronics	SUPMESH3 ™	Tubo	Activo	-	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Stu3n45		Mosfet (Óxido de metal)		TO-251 (ipak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal		450 V	1.8a (TC)	10V	3.8ohm @ 500 mA, 10V	4.5V @ 50 µA	6 NC @ 10 V	± 30V	150 pf @ 25 V	-	27W (TC)
STGW25M120DF3	7.1900	RFQ	367	Stmicroelectronics	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	STGW25	Estándar		375 W	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			600V, 25A, 15ohm, 15V											265 ns	Parada de Campo de Trinchera	1200 V	50 A	100 A	2.3V @ 15V, 25A	850 µJ (Encendido), 1.3MJ (apaguado)	85 NC	28ns/150ns
Stl30p3llh6	1.1000	RFQ	1	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tape & Reel (TR)	Activo	175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl30		Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P		30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	30mohm @ 4.5a, 10V	1V @ 250 µA (min)	12 NC @ 4.5 V	± 20V	1450 pf @ 25 V	-	75W (TC)
STP10NM50N	-	RFQ	2083	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP10		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		500 V	7a (TC)	10V	630mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 25V	450 pf @ 50 V	-	70W (TC)
Stp16nm50n	-	RFQ	9710	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp16n		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		500 V	15A (TC)	10V	260mohm @ 7.5a, 10v	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 25V	1200 pf @ 50 V	-	125W (TC)
2STN1360	0.5900	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	2STN1360			1.6 W	SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																60 V	3 A						100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 150 mm, 3a	160 @ 1a, 2v	130MHz
Stwa20n95k5	7.9900	RFQ	4694	Stmicroelectronics	Supermesh5 ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stwa20		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247 LARGOS LARGOS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		950 V	17.5a (TC)	10V	330mohm @ 9a, 10v	5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1500 pf @ 100 V	-	250W (TC)
Std18n60m6	2.4400	RFQ	2	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m6	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std18		Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak (A 252)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		600 V	13a (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10v	4.75V @ 250 µA	16.8 NC @ 10 V	± 25V	650 pf @ 100 V	-	110W (TC)
Stl40dn3llh5	1.4700	RFQ	9258	Stmicroelectronics	Stripfet ™ V	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl40		Mosfet (Óxido de metal)	60W	Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)			30V	40A		18mohm @ 5.5a, 10v	1.5V @ 250 µA	4.5nc @ 4.5V		475pf @ 25V	-
STF20NM60D	-	RFQ	9871	Stmicroelectronics	Fdmesh ™	Tubo	Obsoleto	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF20		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		600 V	20A (TC)	10V	290mohm @ 10a, 10v	5V @ 250 µA	37 NC @ 10 V	± 30V	1300 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Bd679a	0.9000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	Tubo	Activo	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO25AA, A-126-3	BD679			40 W	SOT-32-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																80 V	4 A						500 µA	NPN - Darlington	2.8V @ 40 mm, 2a	750 @ 2a, 3V	-
Std6nm60n	-	RFQ	3679	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std6n		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		600 V	4.6a (TC)	10V	920mohm @ 2.3a, 10V	4V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 25V	420 pf @ 50 V	-	45W (TC)
Stw13nm60n	-	RFQ	3852	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw13n		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		600 V	11a (TC)	10V	360mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 25V	790 pf @ 50 V	-	90W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²