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Transistores (3861)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP4N52K3 | 1.4800 |  | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SUPMESH3 ™ | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP4N52 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 525 V | 2.5A (TC) | 10V | 2.6ohm @ 1.25a, 10V | 4.5V @ 50 µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 334 pf @ 100 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STGW25H120DF2 | 6.4800 | | 6007 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | STGW25 | Estándar | 375 W | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 25A, 10ohm, 15V | 303 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 50 A | 100 A | 2.6V @ 15V, 25A | 600 µJ (Encendido), 700 µJ (apaguado) | 100 NC | 29ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Stb24nm60n | 6.6300 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ II | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STB24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 190mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Std3nm60n | 1.2200 | | 6013 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ II | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Std3 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.65a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.5 NC @ 10 V | ± 25V | 188 pf @ 50 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| MJD50T4 | - | | 3325 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MJD50 | 15 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 1 A | 100 µA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP2NK100Z | 3.2500 | | 439 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Supermesh ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP2NK100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1000 V | 1.85a (TC) | 10V | 8.5ohm @ 900 mA, 10V | 4.5V @ 50 µA | 16 NC @ 10 V | ± 30V | 499 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Stu3n45k3 | 0.3913 | | 8923 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SUPMESH3 ™ | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Stu3n45 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-251 (ipak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 450 V | 1.8a (TC) | 10V | 3.8ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 50 µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STP15N60M2-EP | 2.0100 | | 334 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ M2-EP | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP15 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 378mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Sh32n65dm6ag | 21.2800 | | 61 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | ECOPACK® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-POWERSMD | Sh32n65 | Mosfet (Óxido de metal) | 208W (TC) | 9-acepto | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 2 Canales N (Medio Puente) | 650V | 32A (TC) | 97mohm @ 23a, 10v | 4.75V @ 250 µA | 47nc @ 10V | 2211pf @ 100V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | STH250N55F3-6 | 5.5100 | | 980 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ III | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | STH250 | Mosfet (Óxido de metal) | H²Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 180A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Stk820 | 2.7900 | | 8 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Polarpak® | Stk8 | Mosfet (Óxido de metal) | Polarpak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 21a (TA) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 10.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 9.5 NC @ 4.5 V | ± 16V | 1425 pf @ 25 V | - | 5.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | ULN2069B | 6.8000 | | 5802 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 16-PowerDip (0.300 ", 7.62 mm) | ULN2069 | 1W | 16-PowerDip (20x7.10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 80V | 1.75a | - | 4 NPN Darlington (Quad) | 1.5V @ 2.25mA, 1.5a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bul39d | - | | 2824 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Bul39 | 70 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 4 A | 100 µA | NPN | 1.1V @ 500mA, 2.5a | 10 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP80N600K6 | 2.5400 | | 2046 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP80 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 497-STP80N600K6 | 50 | N-canal | 800 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 100 µA | 10.7 NC @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 400 V | - | 86W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| STP45N65M5 | 8.6200 | | 9404 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-12937-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 78mohm @ 19.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 91 NC @ 10 V | ± 25V | 3375 pf @ 100 V | - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Sts4nf100 | - | | 6417 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sts4n | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 4A (TC) | 10V | 70mohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PD55035-E | - | | 4649 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 40 V | Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) | PD55035 | 500MHz | Ldmos | Powerso-10RF (Plomo Formado) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 7A | 200 MA | 35W | 16.9dB | - | 12.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP80NF10 | 3.7400 | | 9221 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP80 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 80a (TC) | 10V | 15mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | 182 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STP7NK40Z | 1.8900 | | 9 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Supermesh ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP7NK40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 5.4a (TC) | 10V | 1ohm @ 2.7a, 10v | 4.5V @ 50 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 535 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STP9NK70ZFP | 3.3600 | | 918 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Supermesh ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | STP9NK70 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 700 V | 7.5a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4a, 10v | 4.5V @ 100 µA | 68 NC @ 10 V | ± 30V | 1370 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STF11N60DM2 | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ dm2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | STF11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-16960 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 10a (TC) | 10V | 420mohm @ 5a, 10v | 5V @ 250 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 25V | 614 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Stac2943 | 109.0400 | | 37 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Caja | Obsoleto | 130 V | Stac177b | Stac294 | 30MHz | Mosfet | Stac177b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 40A | 250 Ma | 350W | 25db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Stl75n3llzh5 | - | | 4928 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ V | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Stl75 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 6.1mohm @ 9.5a, 10v | 1V @ 250 µA | 11.8 NC @ 4.5 V | ± 18V | 1510 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STP30N65M5 | 6.6600 | | 5 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stp30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 139mohm @ 11a, 10v | 5V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 25V | 2880 pf @ 100 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STF16N65M5 | 3.2500 | | 1911 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | STF16 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 299mohm @ 6a, 10v | 5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 25V | 1250 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STP7N95K3 | 3.1400 | | 499 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SUPMESH3 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP7N95 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-8792-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 950 V | 7.2a (TC) | 10V | 1.35ohm @ 3.6a, 10v | 5V @ 100 µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 1031 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2907 | - | | 8456 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2n29 | 1.8 W | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 40 V | 600 mA | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP24N65M2 | - | | 4368 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stp24n | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 16a (TC) | 10V | 230mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 25V | 1060 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STD11N60M2-EP | - | | 8305 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ M2-EP | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Std11 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 7.5a (TC) | 10V | 595mohm @ 3.75a, 10v | 4.75V @ 250 µA | 12.4 NC @ 10 V | ± 25V | 390 pf @ 100 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| Std3n80k5 | 1.6000 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Std3n80 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 2.5A (TC) | 10V | 3.5ohm @ 1a, 10v | 5V @ 100 µA | 9.5 NC @ 10 V | ± 30V | 130 pf @ 100 V | - | 60W (TC) |
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