SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
2N2222A STMicroelectronics 2N2222A -
RFQ
ECAD 3249 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2n22 500 MW Un 18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 150 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
STD2NK60Z-1 STMicroelectronics STD2NK60Z-1 1.0400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std2n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 1.4a (TC) 10V 8ohm @ 700 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 45W (TC)
STP75N3LLH6 STMicroelectronics STP75N3LLH6 1.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp75n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 37.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 23.8 NC @ 4.5 V ± 20V 2030 pf @ 25 V - 60W (TC)
BUX348 STMicroelectronics BUX348 -
RFQ
ECAD 5040 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 BUX348 300 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 450 V 45 A - NPN 900mv @ 6a, 30a - -
STB80NF55-06T4 STMicroelectronics STB80NF55-06T4 3.5600
RFQ
ECAD 3294 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB80 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 189 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
LET16045C STMicroelectronics Let16045c -
RFQ
ECAD 6304 0.00000000 Stmicroelectronics - Caja Obsoleto 80 V M243 Let16045 1.6GHz Ldmos M243 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 25 9A 400 mA 45W 16dB - 28 V
STL24NM60N STMicroelectronics Stl24nm60n 4.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl24 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 3.3a ​​(TA), 16a (TC) 10V 215mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 25V 1400 pf @ 50 V - 3W (TA), 125W (TC)
STB32NM50N STMicroelectronics Stb32nm50n 4.2500
RFQ
ECAD 5419 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB32 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 22a (TC) 10V 130mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 62.5 NC @ 10 V ± 25V 1973 pf @ 50 V - 190W (TC)
STFI26NM60N STMicroelectronics Stfi26nm60n -
RFQ
ECAD 2529 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi26n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 35W (TC)
STD5N60DM2 STMicroelectronics Std5n60dm2 0.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 3.5A (TC) 10V 1.55ohm @ 1.75a, 10V 5V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 30V 375 pf @ 100 V - 45W (TC)
STB23NM60ND STMicroelectronics Stb23nm60nd -
RFQ
ECAD 5502 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb23n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8472-2 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 19.5a (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 2050 pf @ 50 V - 150W (TC)
STP03D200 STMicroelectronics STP03D200 9.5000
RFQ
ECAD 5218 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP03 40 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-7022-5 EAR99 8541.29.0095 50 1200 V 100 mA 100 µA NPN - Darlington 2V @ 500 µA, 50 mA 200 @ 30mA, 10V -
STL25N60M2-EP STMicroelectronics STL25N60M2-EP 4.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl25 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 16a (TC) 10V 205mohm @ 8a, 10v 4.75V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1090 pf @ 100 V - 125W (TC)
STP80NF70 STMicroelectronics STP80NF70 2.3400
RFQ
ECAD 991 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 68 V 98a (TC) 10V 9.8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 25 V - 190W (TC)
STD1802T4 STMicroelectronics Std1802t4 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STD1802 15 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 150 mA, 3a 200 @ 100 mapa, 2v 150MHz
STW56N65DM2 STMicroelectronics Stw56n65dm2 11.7000
RFQ
ECAD 375 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw56 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 48a (TC) 10V 65mohm @ 24a, 10v 5V @ 250 µA 88 NC @ 10 V ± 25V 4100 pf @ 100 V - 360W (TC)
STF10N80K5 STMicroelectronics STF10N80K5 3.4000
RFQ
ECAD 916 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15113-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 9A (TC) 10V 600mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 100 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 635 pf @ 100 V - 30W (TC)
STGY50NC60WD STMicroelectronics STGY50NC60WD 16.9700
RFQ
ECAD 1459 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgy50 Estándar 278 W Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 390v, 40a, 10ohm, 15V 55 ns - 600 V 110 A 180 A 2.6V @ 15V, 40A 365 µJ (Encendido), 560 µJ (apagado) 195 NC 52ns/240ns
STGB20V60DF STMicroelectronics Stgb20v60df -
RFQ
ECAD 8911 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb20 Estándar 167 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 15V 40 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 80 A 2.2V @ 15V, 20a 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) 116 NC 38ns/149ns
STP265N6F6AG STMicroelectronics STP265N6F6AG -
RFQ
ECAD 3027 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP265 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15558-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 180A (TC) 10V 2.85mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11800 pf @ 25 V - 300W (TC)
STB55NF06LT4 STMicroelectronics STB55NF06LT4 2.1200
RFQ
ECAD 2141 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB55 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 55A (TC) 10V, 5V 18mohm @ 27.5a, 10v 4.7V @ 250 µA 37 NC @ 4.5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 95W (TC)
STGP8NC60K STMicroelectronics STGP8NC60K -
RFQ
ECAD 8364 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp8 Estándar 65 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390v, 3a, 10ohm, 15V - 600 V 15 A 30 A 2.75V @ 15V, 3a 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STF12NM60N STMicroelectronics STF12NM60N -
RFQ
ECAD 9351 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 410mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 30.5 NC @ 10 V ± 25V 960 pf @ 50 V - 25W (TC)
STX616 STMicroelectronics STX616 -
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX616 2.8 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 500 V 1.5 A 50 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 12 @ 500 Ma, 5V -
STD7NM60N STMicroelectronics Std7nm60n 2.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std7nm60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 25V 363 pf @ 50 V - 45W (TC)
STY60NK30Z STMicroelectronics Sty60nk30z 12.7300
RFQ
ECAD 380 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sty60 Mosfet (Óxido de metal) Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 60A (TC) 10V 45mohm @ 30a, 10v 4.5V @ 100 µA 220 NC @ 10 V ± 30V 7200 pf @ 25 V - 450W (TC)
STP10NK50Z STMicroelectronics STP10NK50Z -
RFQ
ECAD 9365 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4671-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 700mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 39.2 NC @ 10 V ± 30V 1219 pf @ 25 V - 125W (TC)
STP16NF06 STMicroelectronics STP16NF06 1.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP16 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 16a (TC) 10V 100mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 25 V - 45W (TC)
STFI11N65M2 STMicroelectronics Stfi11n65m2 -
RFQ
ECAD 9947 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi11n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 670mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 12.5 NC @ 10 V ± 25V 410 pf @ 100 V - 25W (TC)
STL92N10F7AG STMicroelectronics Stl92n10f7ag 2.1500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl92 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 16a (TC) 10V 9.5ohm @ 8a, 10v 4.5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 50 V - 5W (TA), 100W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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    Almacén en stock