SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STN4NF20L STMicroelectronics Stn4nf20l 0.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn4nf20 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 V 1A (TC) 5V, 10V 1.5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 0.9 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 3.3W (TC)
BD679 STMicroelectronics BD679 0.5400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD679 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5776 EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4 A 500 µA NPN - Darlington 2.5V @ 30mA, 1.5a 750 @ 1.5a, 3V -
STGWA60V60DF STMicroelectronics Stgwa60v60df 5.6200
RFQ
ECAD 2949 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa60 Estándar 375 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 4.7ohm, 15V 74 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 240 A 2.3V @ 15V, 60A 750 µJ (Encendido), 550 µJ (apaguado) 334 NC 60ns/208ns
STGW8M120DF3 STMicroelectronics Stgw8m120df3 4.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics METRO Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw8 Estándar 167 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17619 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 8a, 33ohm, 15V 103 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 16 A 32 A 2.3V @ 15V, 8a 390 µJ (Encendido), 370 µJ (apaguado) 32 NC 20ns/126ns
STW18NK80Z STMicroelectronics Stw18nk80z -
RFQ
ECAD 1762 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw18n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4423-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 19a (TC) 10V 380mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 150 µA 250 nc @ 10 V ± 30V 6100 pf @ 25 V - 350W (TC)
2STF1340 STMicroelectronics 2STF1340 -
RFQ
ECAD 6096 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2STF13 1.4 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 40 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 350mv @ 150 mA, 3a 180 @ 1a, 2v 100MHz
STR2N2VH5 STMicroelectronics Str2n2vh5 1.1300
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Str2n2 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.3a (TJ) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 2a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 4.6 NC @ 4.5 V ± 8V 367 pf @ 16 V - 350MW (TC)
BDX54B STMicroelectronics Bdx54b -
RFQ
ECAD 8010 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BDX54 60 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5214-5 EAR99 8541.29.0095 50 80 V 8 A 500 µA PNP - Darlington 2V @ 12 mm, 3a 750 @ 3a, 3V -
STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics Stgwa50h65dfb2 4.3600
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa50 Estándar 272 W TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-stgwa50h65dfb2 EAR99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 4.7ohm, 15V 92 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 86 A 150 A 2V @ 15V, 50A 910 µJ (Encendido), 580 µJ (apagado) 151 NC 28ns/115ns
STF5NK65Z STMicroelectronics STF5NK65Z -
RFQ
ECAD 1151 0.00000000 Stmicroelectronics * Tape & Reel (TR) Obsoleto Stf5n - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 2,000
STP35N60M2-EP STMicroelectronics STP35N60M2-EP 3.0791
RFQ
ECAD 6975 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp35 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 26a (TC) - - - ± 25V - -
STGW80H65FB-4 STMicroelectronics STGW80H65FB-4 -
RFQ
ECAD 7255 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 STGW80 Estándar 469 W TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 240 A 2v @ 15V, 80a 2.1MJ (Encendido), 1.5mj (apaguado) 414 NC 84ns/280ns
STGW25M120DF3 STMicroelectronics STGW25M120DF3 7.1900
RFQ
ECAD 367 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW25 Estándar 375 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 15ohm, 15V 265 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 50 A 100 A 2.3V @ 15V, 25A 850 µJ (Encendido), 1.3MJ (apaguado) 85 NC 28ns/150ns
STL30P3LLH6 STMicroelectronics Stl30p3llh6 1.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl30 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 4.5a, 10V 1V @ 250 µA (min) 12 NC @ 4.5 V ± 20V 1450 pf @ 25 V - 75W (TC)
STB100NH02LT4 STMicroelectronics STB100NH02LT4 -
RFQ
ECAD 2487 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb100n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 24 V 60A (TC) 5V, 10V 6mohm @ 30a, 10v 1.8V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 15 V - 100W (TC)
STI24NM65N STMicroelectronics Sti24nm65n -
RFQ
ECAD 5788 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti24n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 19a (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 50 V - 160W (TC)
STWA50N65DM2AG STMicroelectronics Stwa50n65dm2ag 5.8831
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa50 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 38a (TC) 10V 87mohm @ 19a, 10v 5V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 25V 3200 pf @ 100 V - 300W (TC)
STD15N50M2AG STMicroelectronics STD15N50M2AG 1.9300
RFQ
ECAD 3088 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Mdmesh ™ M2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std15 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 10a (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 530 pf @ 100 V - 85W (TC)
STP25N60M2-EP STMicroelectronics STP25N60M2-EP 2.8900
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15892-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 188mohm @ 9a, 10v 4.75V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1090 pf @ 100 V - 150W (TC)
STGY80H65DFB STMicroelectronics Stgy80h65dfb 14.4500
RFQ
ECAD 362 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgy80 Estándar 469 W Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80a, 10ohm, 15V 85 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 240 A 2v @ 15V, 80a 2.1MJ (Encendido), 1.5mj (apaguado) 414 NC 84ns/280ns
STF6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2 1.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 4.5a (TA) 10V 1.2ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 25V 232 pf @ 100 V - 20W (TC)
STGB30NC60WT4 STMicroelectronics STGB30NC60WT4 3.5300
RFQ
ECAD 660 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb30 Estándar 200 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 60 A 150 A 2.5V @ 15V, 20a 305 µJ (Encendido), 181 µJ (apaguado) 102 NC 29.5ns/118ns
STP15NM65N STMicroelectronics Stp15nm65n -
RFQ
ECAD 9720 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp15n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 25V 983 pf @ 50 V - 125W (TC)
STD9NM50N-1 STMicroelectronics Std9nm50n-1 -
RFQ
ECAD 1448 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std9 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 560mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 25V 570 pf @ 50 V - 70W (TC)
STE26NA90 STMicroelectronics Ste26na90 -
RFQ
ECAD 3660 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste26 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-3168-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 26a (TC) 10V 300mohm @ 13a, 10v 3.75V @ 1MA 660 NC @ 10 V ± 30V 1770 pf @ 25 V - 450W (TC)
STGWA50IH65DF STMicroelectronics Stgwa50ih65df 4.7900
RFQ
ECAD 6567 0.00000000 Stmicroelectronics Ih Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa50 Estándar 300 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18498 EAR99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 22ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 100 A 150 A 2V @ 15V, 50A 284 µJ (apaguado) 158 NC -/260ns
STP28NM50N STMicroelectronics Stp28nm50n 6.5300
RFQ
ECAD 3581 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP28 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10712-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 21a (TC) 10V 158mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1735 pf @ 25 V - 150W (TC)
STD14NM50N STMicroelectronics Std14nm50n -
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std14 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10v 4V @ 100 µA 27 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 50 V - 90W (TC)
STU5N52K3 STMicroelectronics Stu5n52k3 -
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu5n Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 525 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 545 pf @ 100 V - 70W (TC)
STGF7NB60SL STMicroelectronics STGF7NB60SL 2.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stgf7 Estándar 25 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480v, 7a, 1kohm, 5V - 600 V 15 A 20 A 1.6V @ 4.5V, 7a 4.1mj (apaguado) 16 NC 1.1 µs/5.2 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock