SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
STWA72N60DM6AG STMicroelectronics Stwa72n60dm6ag 10.3978
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa72 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stwa72n60dm6ag EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 56a (TC) 10V 42mohm @ 28a, 10v 4.75V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 25V 4444 pf @ 100 V - 390W (TC)
STFW2N105K5 STMicroelectronics STFW2N105K5 2.7600
RFQ
ECAD 2051 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Stfw2 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1050 V 2a (TC) 10V 8ohm @ 750mA, 10V 5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V 30V 115 pf @ 100 V - 30W (TC)
STL21N65M5 STMicroelectronics Stl21n65m5 6.7700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl21 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 17a (TC) 10V 179mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 100 V - 3W (TA), 125W (TC)
LET9045TR STMicroelectronics Let9045tr -
RFQ
ECAD 8770 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 80 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) LET9045 960MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 1 µA 300 mA 45W 18.5dB - 28 V
STD15N65M5 STMicroelectronics Std15n65m5 5.0500
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std15 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 100 V - 85W (TC)
STB130NS04ZBT4 STMicroelectronics STB130NS04ZBT4 -
RFQ
ECAD 6304 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB130 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 33 V 80a (TC) 10V 9mohm @ 40a, 10v 4V @ 1MA 80 NC @ 10 V Sujetado 2700 pf @ 25 V - 300W (TC)
STB7NK80Z-1 STMicroelectronics STB7NK80Z-1 1.7752
RFQ
ECAD 7097 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STB7NK80 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 5.2a (TC) 10V 1.8ohm @ 2.6a, 10v 4.5V @ 100 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1138 pf @ 25 V - 125W (TC)
STAC250V2-500E STMicroelectronics STAC250V2-500E -
RFQ
ECAD 2889 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 900 V Stac177b Stac250 27MHz Mosfet Stac177b - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal - 3.5w 21.5db - 150 V
STW23N85K5 STMicroelectronics STW23N85K5 7.3200
RFQ
ECAD 2254 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw23 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 850 V 19a (TC) 10V 275mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 100 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1650 pf @ 100 V - 250W (TC)
PD57006TR-E STMicroelectronics PD57006TR-E -
RFQ
ECAD 8138 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD57006 945MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 1A 70 Ma 6W 15dB - 28 V
STL18NM60N STMicroelectronics Stl18nm60n 3.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl18 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 2.1a (TA), 12a (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 50 V - 3W (TA), 110W (TC)
STB35N60DM2 STMicroelectronics STB35N60DM2 6.1700
RFQ
ECAD 6936 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB35 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 100 V - 210W (TC)
STW70N65M2 STMicroelectronics Stw70n65m2 8.6953
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw70 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 63A (TC) 10V 46mohm @ 31.5a, 10V 4V @ 250 µA 117 NC @ 10 V ± 25V 5140 pf @ 100 V - 446W (TC)
STD90NS3LLH7 STMicroelectronics Std90ns3llh7 -
RFQ
ECAD 9992 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ H7 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std90 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 40a, 10V 1.2V @ 1MA 13.7 NC @ 4.5 V ± 20V 2110 pf @ 25 V Diodo Schottky (Cuerpo) 57W (TC)
STB36NM60ND STMicroelectronics Stb36nm60nd 6.5400
RFQ
ECAD 1809 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB36 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 110mohm @ 14.5a, 10v 5V @ 250 µA 80.4 NC @ 10 V ± 25V 2785 pf @ 50 V - 190W (TC)
STFI26NM60N STMicroelectronics Stfi26nm60n -
RFQ
ECAD 2529 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi26n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 35W (TC)
STGW35NB60S STMicroelectronics STGW35NB60S -
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW35 Estándar 200 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480v, 20a, 100ohm, 15V - 600 V 70 A 250 A 1.7v @ 15V, 20a 840 µJ (Encendido), 7.4mj (apaguado) 83 NC 92NS/1.1 µs
STP12N65M2 STMicroelectronics STP12N65M2 1.0004
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 8a (TC) 0V, 10V 500mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 16.7 NC @ 10 V ± 25V 535 pf @ 100 V - 85W (TC)
STS4DPFS30L STMicroelectronics Sts4dpfs30l -
RFQ
ECAD 4201 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts4d Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 5A (TC) 4.5V, 10V 55mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 16 NC @ 5 V ± 16V 1350 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2.5W (TC)
STB6NK90ZT4 STMicroelectronics STB6NK90ZT4 3.2000
RFQ
ECAD 2416 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb6 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 5.8a (TC) 10V 2ohm @ 2.9a, 10v 4.5V @ 100 µA 60.5 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 140W (TC)
STL15N65M5 STMicroelectronics Stl15n65m5 2.9400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl15 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 10a (TC) 10V 375mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 100 V - 52W (TC)
STL58N3LLH5 STMicroelectronics Stl58n3llh5 1.6000
RFQ
ECAD 6686 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ H5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl58 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V +22V, -20V 950 pf @ 25 V - 4.8W (TA), 62.5W (TC)
STP260N6F6 STMicroelectronics STP260N6F6 -
RFQ
ECAD 1000 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP260 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 3mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STF11N65M2 STMicroelectronics STF11N65M2 1.9000
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 670mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 12.5 NC @ 10 V ± 25V 410 pf @ 100 V - 25W (TC)
STB80NF55-06T4 STMicroelectronics STB80NF55-06T4 3.5600
RFQ
ECAD 3294 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB80 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 189 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STN2NF10 STMicroelectronics Stn2nf10 1.2200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn2nf10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 2.4a (TC) 10V 260mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 25 V - 3.3W (TC)
STL35N15F3 STMicroelectronics Stl35n15f3 3.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl35 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 40mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 49.4 NC @ 10 V ± 20V 1905 pf @ 25 V - 80W (TC)
STL42P4LLF6 STMicroelectronics Stl42p4llf6 1.6400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f6 Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl42 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 42a (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 22 NC @ 4.5 V ± 20V 2850 pf @ 25 V - 75W (TC)
STH180N4F6-2 STMicroelectronics STH180N4F6-2 -
RFQ
ECAD 7925 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH180 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 7735 pf @ 25 V - 190W (TC)
STB5NK50Z-1 STMicroelectronics STB5NK50Z-1 -
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stb5n Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 28 NC @ 10 V ± 30V 535 pf @ 25 V - 70W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock