SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BU941P STMicroelectronics Bu941p -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 BU941 155 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400 V 15 A 100 µA NPN - Darlington 2V @ 300 Ma, 12a 300 @ 5a, 10v -
STGP30H65DFB2 STMicroelectronics STGP30H65DFB2 1.3390
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp30 Estándar 167 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STGP30H65DFB2 EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 30A, 6.8OHM, 15V 115 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 50 A 90 A 2.1V @ 15V, 30a 270 µJ (Encendido), 310 µJ (apaguado) 90 NC 18.4ns/71ns
STGW45HF60WD STMicroelectronics STGW45HF60WD -
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW45 Estándar 250 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10403-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 6.8OHM, 15V 55 ns - 600 V 70 A 150 A 2.5V @ 15V, 30a 300 µJ (Encendido), 330 µJ (apaguado) 160 NC 30ns/145ns
STD30NF06 STMicroelectronics Std30nf06 -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std30n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 28a (TC) 10V 28mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 25 V - 70W (TC)
STL195N4F7AG STMicroelectronics Stl195n4f7ag 1.0548
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo Stl195 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STL195N4F7AG 3.000
STD11N60M2-EP STMicroelectronics STD11N60M2-EP -
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std11 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7.5a (TC) 10V 595mohm @ 3.75a, 10v 4.75V @ 250 µA 12.4 NC @ 10 V ± 25V 390 pf @ 100 V - 85W (TC)
STB7ANM60N STMicroelectronics Stb7anm60n 1.6100
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb7 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 Ma 14 NC @ 10 V ± 25V 363 pf @ 50 V - 45W (TC)
STI42N65M5 STMicroelectronics Sti42n65m5 -
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti42n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10v 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 25V 4650 pf @ 100 V - 190W (TC)
STP150NF55 STMicroelectronics STP150NF55 3.7700
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP150 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-6117-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 120a (TC) 10V 6mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STL140N6F7 STMicroelectronics Stl140n6f7 2.7900
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl140 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 145A (TC) 10V 2.5mohm @ 16a, 10v 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 4.8W (TA), 125W (TC)
STD7NM60N STMicroelectronics Std7nm60n 2.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std7nm60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 25V 363 pf @ 50 V - 45W (TC)
STF13N60DM2 STMicroelectronics STF13N60DM2 2.0000
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF13 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16961 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 365mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 25V 730 pf @ 100 V - 25W (TC)
STH245N75F3-6 STMicroelectronics STH245N75F3-6 -
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F3 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH245 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 180A (TC) 10V 3mohm @ 90a, 10v 4V @ 250 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 25 V - 300W (TC)
STGP30H60DFB STMicroelectronics STGP30H60DFB 3.2300
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp30 Estándar 260 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16483-5 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 30a, 10ohm, 15V 53 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 60 A 120 A 2V @ 15V, 30a 383 µJ (ON), 293 µJ (OFF) 149 NC 37ns/146ns
STD4N80K5 STMicroelectronics Std4n80k5 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std4n80 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 100 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 175 pf @ 100 V - 60W (TC)
STP3LN62K3 STMicroelectronics Stp3ln62k3 0.9800
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp3ln Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.25a, ​​10V 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 386 pf @ 50 V - 45W (TC)
STAC3932B STMicroelectronics Stac3932b 117.9750
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Activo 250 V Stac244b Stac3932 123MHz Mosfet Stac244b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 N-canal 20A 250 Ma 580W - - 100 V
STFU10NK60Z STMicroelectronics STFU10NK60Z 1.6600
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stfu10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 25 V - 35W (TC)
STF34N65M5 STMicroelectronics STF34N65M5 3.1412
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF34 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14.5a, 10v 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 2590 pf @ 100 V - 35W (TC)
STU25N10F7 STMicroelectronics Stu25n10f7 -
RFQ
 ECAD 7237 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f7 Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu25 Mosfet (Óxido de metal) I-pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 25A 4.5V, 10V - - - - -
STGB3NB60SDT4 STMicroelectronics Stgb3nb60sdt4 -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb3 Estándar 70 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480v, 3a, 1kohm, 15V 1.7 µs - 600 V 6 A 25 A 1.5V @ 15V, 3a 1.15mj (apaguado) 18 NC 125NS/3.4 µs
STF12N65M5 STMicroelectronics STF12N65M5 3.0900
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-5 paquete completo STF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 8.5A (TC) 10V 430mohm @ 4.3a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 25V 900 pf @ 100 V - 25W (TC)
STR1P2UH7 STMicroelectronics Str1p2uh7 -
RFQ
 ECAD 4704 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ H7 Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Str1 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.4a (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 700 mA, 4.5V 1V @ 250 µA 4.8 NC @ 4.5 V ± 8V 510 pf @ 10 V - 350MW (TC)
TD134N4F7AG STMicroelectronics TD134N4F7AG -
RFQ
 ECAD 2115 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-TD134N4F7AGTR 1 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2790 pf @ 25 V - 134W (TC)
STW10N95K5 STMicroelectronics Stw10n95k5 4.4900
RFQ
 ECAD 2095 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estirarse Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 950 V 8a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10v 5V @ 100 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 630 pf @ 100 V - 130W (TC)
STD5N80K5 STMicroelectronics Std5n80k5 1.7800
RFQ
 ECAD 3167 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5n80 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 4A (TC) 10V 1.75ohm @ 2a, 10v 5V @ 100 µA 5 NC @ 10 V ± 30V 177 pf @ 100 V - 60W (TC)
STF10NK50Z STMicroelectronics STF10NK50Z -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf10n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 700mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 39.2 NC @ 10 V ± 30V 1219 pf @ 25 V - 30W (TC)
STP80N340K6 STMicroelectronics STP80N340K6 2.1450
RFQ
 ECAD 7774 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STP80N340K6 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 12a (TC) 10V 340mohm @ 6a, 10v 4V @ 100 µA 17.8 NC @ 10 V ± 30V 950 pf @ 400 V - 115W (TC)
BUL128FP STMicroelectronics Bul128fp -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Bul128 31 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 4 A 100 µA NPN 500mv @ 1a, 4a 14 @ 2a, 5v -
STW48N60M6 STMicroelectronics Stw48n60m6 5.1274
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw48 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 39A (TC) 10V 69mohm @ 19.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 25V 2578 pf @ 100 V - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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