SIC
close

Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STU3N45K3 STMicroelectronics Stu3n45k3 0.3913
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu3n45 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 450 V 1.8a (TC) 10V 3.8ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 6 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 27W (TC)
STF21N90K5 STMicroelectronics STF21N90K5 8.0000
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF21 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 18.5A (TC) 10V 299mohm @ 9a, 10v 5V @ 100 µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1645 pf @ 100 V - 40W (TC)
BUF420AW STMicroelectronics BUF420AW 11.2000
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 BUF420 200 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 450 V 30 A - NPN 500mv @ 4a, 20a - -
L6221AS STMicroelectronics L6221As -
RFQ
 ECAD 5765 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero - L6221 1W 16 podador descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 50V 1.8a - 4 NPN Darlington (Quad) 1.6V @ 1.8a - -
STGW25H120DF2 STMicroelectronics STGW25H120DF2 6.4800
RFQ
 ECAD 6007 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW25 Estándar 375 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 303 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 50 A 100 A 2.6V @ 15V, 25A 600 µJ (Encendido), 700 µJ (apaguado) 100 NC 29ns/130ns
STP2NK100Z STMicroelectronics STP2NK100Z 3.2500
RFQ
 ECAD 439 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP2NK100 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1000 V 1.85a (TC) 10V 8.5ohm @ 900 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 499 pf @ 25 V - 70W (TC)
STP15N65M5 STMicroelectronics STP15N65M5 2.7800
RFQ
 ECAD 991 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP15 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12936-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 25V 810 pf @ 100 V - 125W (TC)
BUY69A STMicroelectronics Buy69a -
RFQ
 ECAD 4732 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 Buy69 100 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 400 V 10 A 1mera NPN 3.3V @ 2.5a, 8a 15 @ 2.5a, 10v 10MHz
MD2103DFP STMicroelectronics MD2103DFP 1.7100
RFQ
 ECAD 966 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MD2103 38 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 700 V 6 A 200 µA NPN 1.8v @ 750 mm, 3a 6.5 @ 3a, 5v -
STL4N10F7 STMicroelectronics Stl4n10f7 0.8600
RFQ
 ECAD 5585 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl4 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 4.5a (TA), 18a (TC) 10V 70mohm @ 2.25a, ​​10V 4.5V @ 250 µA 7.8 NC @ 10 V ± 20V 408 pf @ 50 V - 2.9W (TA), 50W (TC)
STWA70N60DM2 STMicroelectronics Stwa70n60dm2 8.0580
RFQ
 ECAD 2755 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa70 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 66a (TC) 10V 42mohm @ 33a, 10v 5V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 25V 5508 pf @ 100 V - 446W (TC)
SCT011H75G3AG STMicroelectronics SCT011H75G3AG -
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 Stmicroelectronics * Cinta de Corte (CT) Activo SCT011H descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
STP3NK90ZFP STMicroelectronics Stp3nk90zfp 1.4300
RFQ
 ECAD 931 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp3nk90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5979-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50 µA 22.7 NC @ 10 V ± 30V 590 pf @ 25 V - 25W (TC)
MJE3055T STMicroelectronics MJE3055T 1.1400
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 MJE3055 75 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 10 A 700 µA NPN 8V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
MJE340 STMicroelectronics MJE340 0.7600
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 MJE340 20.8 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 300 V 500 mA 100 µA (ICBO) NPN - 30 @ 50mA, 10V -
BC847B STMicroelectronics BC847B -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Stmicroelectronics Sot-23 Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 100MHz
MJD50T4 STMicroelectronics MJD50T4 -
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD50 15 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 1 A 100 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
STW45NM60 STMicroelectronics Stw45nm60 14.0100
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw45 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 45a (TC) 10V 110mohm @ 22.5a, 10v 5V @ 250 µA 134 NC @ 10 V ± 30V 3800 pf @ 25 V - 417W (TC)
RF2L36075CF2 STMicroelectronics RF2L36075CF2 127.0500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 60 V Montaje en superficie B2 3.6GHz Ldmos B2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-RF2L36075CF2TR EAR99 8541.29.0095 120 1 µA 600 mA 75W 12.5dB - 28 V
2STC5948 STMicroelectronics 2STC5948 -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2STC 200 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-6958-5 EAR99 8541.29.0095 30 250 V 17 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 25MHz
STW30N65M5 STMicroelectronics Stw30n65m5 6.3400
RFQ
 ECAD 588 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw30 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 22a (TC) 10V 139mohm @ 11a, 10v 5V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 25V 2880 pf @ 100 V - 140W (TC)
STP80NF55-08 STMicroelectronics STP80NF55-08 3.0200
RFQ
 ECAD 8695 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 3850 pf @ 25 V - 300W (TC)
PD85025STR-E STMicroelectronics PD85025Str-E -
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 40 V PowerSo-10RF Padera Inferior Expuesta (2 cables rectos) PD85025 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 7A 300 mA 10W 17.3db - 13.6 V
STD155N3H6 STMicroelectronics Std155n3h6 2.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std15 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -497-11307-6 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 10V 3mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 3650 pf @ 25 V - 110W (TC)
STSJ50NH3LL STMicroelectronics Stsj50nh3ll -
RFQ
 ECAD 9546 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) Stsj50 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 6a, 10v 1V @ 250 µA 12 NC @ 4.5 V ± 16V 965 pf @ 25 V - 3W (TA), 50W (TC)
BD243C STMicroelectronics Bd243c -
RFQ
 ECAD 6235 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD243 65 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 1a, 6a 15 @ 3a, 4V -
MMBTA42 STMicroelectronics Mmbta42 -
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 Stmicroelectronics Sot-23 Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT 350 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 100 mA 250NA (ICBO) NPN 200 MV @ 2mA, 20 Ma 60 @ 1 MMA, 10V 50MHz
2N6039 STMicroelectronics 2N6039 -
RFQ
 ECAD 5126 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 2n60 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4 A 100 µA NPN - Darlington 3V @ 40mA, 4A 750 @ 2a, 3V -
STH250N55F3-6 STMicroelectronics STH250N55F3-6 5.5100
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH250 Mosfet (Óxido de metal) H²Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 180A (TC) 10V 2.6mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 25 V - 300W (TC)
STW12N120K5 STMicroelectronics STW12N120K5 10.6600
RFQ
 ECAD 267 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw12 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15446-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 12a (TC) 10V 690mohm @ 6a, 10v 5V @ 100 µA 44.2 NC @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 100 V - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar